2017年化合物半導體行業(yè)市場銷售額及預(yù)測分析【圖】

    化合物半導體即Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料，包括碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等半導體材料，它們是有別于第一代硅半導體的二、三代半導體。從2000年開始，化合物半導體市場逐步擴大，以砷化鎵、氮化鎵、碳化硅為首的半導體材料應(yīng)用增多。

    Ⅲ-Ⅴ族化合物與傳統(tǒng)硅材料相比具有以下優(yōu)點：一、帶隙較大，所制造的器件能夠耐受較大功率，且工作溫度更高。電子遷移率高，適合制備高頻、高速器件。二、光電轉(zhuǎn)換效率高，適合制作光電器件。

化合物半導體在三代半導體材料性能比較中優(yōu)異

數(shù)據(jù)來源：公開資料整理

    因此，Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體多應(yīng)用于光纖通訊、無線通訊、衛(wèi)星通訊、高端功率器件等領(lǐng)域。其中，砷化鎵主要用于民用射頻器件、氮化鎵主要用于軍用/高性能民用射頻器件、碳化硅主要用于高壓功率器件領(lǐng)域。

化合物半導體下游應(yīng)用市場開始明確

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    砷化鎵（GaAs）材料是目前生產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣泛，因而也是最重要的化合物半導體材料，是僅次于硅的最重要的半導體材料。砷化鎵材料具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙，消耗功率低的特性，廣泛應(yīng)用于高頻及無線通訊領(lǐng)域，在手機、無線網(wǎng)絡(luò)、光纖通訊、汽車雷達、衛(wèi)星通信、物聯(lián)網(wǎng)及可穿戴設(shè)備等行業(yè)具有強勁的市場需求。

中國GaAs市場2011-2016年銷售額以及2017-2021年預(yù)測（單位：億元）

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    而根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)，2014年全球GaAs元件市場總規(guī)模為74.3億美元，較2013年同比增長15%，2015年達到86億美元，同比增長15.75%，到2020年，市場規(guī)模預(yù)計將突破130億美元。

    相關(guān)報告：智研咨詢發(fā)布的《2018-2024年中國半導體材料行業(yè)全景調(diào)研及發(fā)展前景預(yù)測報告》