2018年中國(guó)集成電路行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)【圖】

    中國(guó)集成電路市場(chǎng)保持高速增長(zhǎng)。據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局統(tǒng)計(jì)，2017年，中國(guó)集成電路市場(chǎng)延續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，產(chǎn)量達(dá)到1565億塊，同比增長(zhǎng)18%，2008-2017年年均復(fù)合增長(zhǎng)率CAGR達(dá)16%。我國(guó)集成電路自給率仍較低，很大比例的需求仍要依靠進(jìn)口滿足。2017年我國(guó)集成電路進(jìn)口量近3770億塊，同比增長(zhǎng)10%，約為同年我國(guó)集成電路產(chǎn)量的2.4倍，由此可見(jiàn)自給率仍低。目前我國(guó)集成電路行業(yè)的主要矛盾主要是高速增長(zhǎng)的需求與自身供給能力不足的矛盾。

中國(guó)集成電路產(chǎn)量（億塊）

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中國(guó)集成電路電路進(jìn)出口數(shù)量統(tǒng)計(jì)（億塊）

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    相關(guān)報(bào)告：智研咨詢網(wǎng)發(fā)布的《2018-2024年中國(guó)光子集成電路行業(yè)市場(chǎng)供需預(yù)測(cè)及投資戰(zhàn)略研究報(bào)告》

    集成電路生產(chǎn)需要用到包括硅基材、CMP拋光材料、高純?cè)噭ㄓ糜陲@影、清洗、剝離、刻蝕）、特種氣體、光刻膠、掩膜版、封裝材料等多種化學(xué)品。

全球及國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模統(tǒng)計(jì)

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我國(guó)半導(dǎo)體制造材料市場(chǎng)規(guī)模

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    一、硅片

    目前大部分晶圓以硅為主要原料。硅晶圓的加工可分為硅提純、拉晶、加工處理等流程，其中加工處理包括切片、圓邊以及研磨等操作。IC集成度越來(lái)越高，要求硅晶圓朝大尺寸方向發(fā)展。硅晶圓是集成電路的基底，按照尺寸大小可分為6英寸、8英寸和12英寸等（尺寸指的是硅晶圓片的直徑）。尺寸越大，加工難度也越大。集成電路的集成度越來(lái)越高，對(duì)大尺寸硅片的需求量越來(lái)越大。目前全球12英寸硅片的市場(chǎng)份額正在逐年提升。

全球硅晶圓朝大尺寸方向發(fā)展

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    2016年中國(guó)硅片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到120億元以上。據(jù)預(yù)測(cè)，2018年底中國(guó)12英寸晶圓制造月產(chǎn)能將達(dá)到70萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)42%，硅晶片國(guó)產(chǎn)替代空間較大。

全球硅片市場(chǎng)規(guī)模（億美元）

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中國(guó)硅片市場(chǎng)規(guī)模（億元）

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    二、光刻膠

    光刻膠又稱光致抗蝕劑，是利用化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行圖像轉(zhuǎn)移的媒體，是由感光樹(shù)脂、光引發(fā)劑、添加劑和溶劑等主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻膠中，感光樹(shù)脂是關(guān)鍵組分，感光樹(shù)脂經(jīng)過(guò)光照后，在曝光區(qū)能很快的發(fā)生光固化反應(yīng)，使得材料的物理性能，特別是溶解性、親和性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)過(guò)適當(dāng)溶劑處理，溶去可溶性部分，便可以得到所需圖像。

    2016年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模為14.5億美元，同比增長(zhǎng)9.0%，預(yù)計(jì)2017和2018年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模為15.3億美元和15.7億美元，其中半導(dǎo)體光刻膠仍以ArF/浸沒(méi)ArF為主，占市場(chǎng)總量約45%，KrF約占總量24%。2016年我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模為19.55億元，預(yù)計(jì)2017和2018年光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到19.76億元和23.15億元。

全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模（億美元）

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2016年半導(dǎo)體光刻膠以ArF/ArF浸沒(méi)式為主

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    三、靶材

    濺射是指利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空腔體中通過(guò)加速聚集，形成高速度的離子流轟擊固體表面。離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，固體表面的的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體即為濺射用靶材。

    在晶圓制造材料中，濺射靶材約占芯片制造材料市場(chǎng)的2.6%。在封裝測(cè)試材料中，濺射靶材約占封裝測(cè)試材料市場(chǎng)的2.7%。2016年中國(guó)半導(dǎo)體用濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模約為14億元，同比增長(zhǎng)20.69%。

全球半導(dǎo)體用濺射靶材規(guī)模（億元）

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我國(guó)半導(dǎo)體芯片濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模（億元）

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    四、CMP拋光材料

    CMP材料替代空間較大，但國(guó)內(nèi)企業(yè)僅能從200nm拋光墊入手。2016年國(guó)內(nèi)CMP材料市場(chǎng)需求規(guī)模達(dá)23億元，到2018年有望達(dá)到28億元。但由于國(guó)內(nèi)目前除陶氏（中國(guó)）外均不具備300nm晶圓拋光墊專利權(quán)，僅能從無(wú)需授權(quán)的200nm拋光墊入手，占據(jù)部分低端市場(chǎng)。

全球CMP材料市場(chǎng)需求規(guī)模（億美元）

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國(guó)內(nèi)CMP材料市場(chǎng)需求規(guī)模（億元）

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    五、特種氣體

    2016年全球半導(dǎo)體特種氣體市場(chǎng)規(guī)模約34億美元，中國(guó)半導(dǎo)體特種氣體市場(chǎng)規(guī)模約50億元，目前國(guó)內(nèi)企業(yè)電子特氣市占率僅20%，按照集成電路產(chǎn)業(yè)“十三五”發(fā)展規(guī)劃目標(biāo)，2020年電子特氣國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50%以上。

全球特種氣體市場(chǎng)規(guī)模（億美元）

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中國(guó)特種氣體市場(chǎng)規(guī)模（億元）

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