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2018年中國新材料靶材行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢分析【圖】

    一、電子行業(yè)薄膜制備關(guān)鍵原料,預(yù)計(jì) 2016-2019 全球靶材市場增速達(dá) 13%

    靶材全球市場預(yù)計(jì) 16-19 復(fù)合增速 13%。 2016 年全球?yàn)R射靶材市場容量達(dá) 113.6 億美元,相比于 2015 年的 94.8 億美元增長 20%。預(yù)測 2016-2019 年均復(fù)合增長率達(dá) 13%, 到 2019 年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過 163 億美元。 2016 年全球靶材市場的下游結(jié)構(gòu)中,半導(dǎo)體占比 10%、平板顯示占 34%、太陽能電池占 21%、記錄媒體占 29%,靶材性能要求依次降低。

2014-2016 全球靶材市場規(guī)模

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    相關(guān)報(bào)告:智研咨詢網(wǎng)發(fā)布的《2018-2024年中國濺射靶材產(chǎn)業(yè)深度調(diào)研及未來發(fā)展趨勢報(bào)告

2016 年全球?yàn)R射靶材應(yīng)用結(jié)構(gòu)

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    市場集中度高,日、美占據(jù) 80%高端靶材市場。 濺射靶材由于其高技術(shù)、高投資、高客戶壁壘,具有規(guī)?;a(chǎn)能力企業(yè)較少,以霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯等為代表的靶材龍頭企業(yè) 2017 年占據(jù)全球約 80%靶材市場。美、日等跨國企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈較為完整,囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié),主導(dǎo)高端的半導(dǎo)體靶材市場;韓國、新加坡及中國臺(tái)灣地區(qū)擅長磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域,原料多從國外進(jìn)口;中國靶材產(chǎn)業(yè)正處于起步階段,逐步切入以原料以進(jìn)口為主的全球主流半導(dǎo)體、顯示、光伏等龍頭企業(yè)客戶。

    二、國國內(nèi)靶材市場需求情況分析及預(yù)測

    1、 平面顯示:靶材第一大應(yīng)用,切入京東方等國內(nèi)顯示龍頭的供應(yīng)體系是關(guān)鍵我國平面顯示靶材市場發(fā)展迅猛, 2016 年市場規(guī)模已達(dá)到 80 億元。 2013-2016 年,全球平板顯示用濺射靶材市場規(guī)模分別為 29.5 億美元、 31.4億美元、 33.8 億美元和 38 億美元。其中,我國平板顯示用濺射靶材 2013-2016 市場規(guī)模分別為 39.4 億元、 55 億元、 69.3 億元和 80 億元。中國平面靶材需求在全球占比已經(jīng)從2013 年約 20%提升到 2016 年占比超過 30%。

2013-2016 年全球平面顯示靶材市場規(guī)模

資料來源:公開資料整理

2013-2016 年中國平面顯示靶材市場規(guī)模

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    預(yù)計(jì) 2018-2020 年國內(nèi)顯示靶材需求增速維持 20-25%增速。 中國大陸從上世紀(jì) 80 年代開始進(jìn)入液晶顯示領(lǐng)域,在政府政策導(dǎo)向和產(chǎn)業(yè)扶植下,我國大陸液晶顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的地區(qū)。2016 年中國平板顯示器件產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)到 1500 億元,同比增長 25.99%; 2012-2016 年國內(nèi)平板顯示增速基本保持在 25%以上。 此外考慮到國內(nèi) LCD 國產(chǎn)替代進(jìn)程加速、再加上 OLED 滲透率有 望快速提升,預(yù)計(jì) 2018-2020 年國內(nèi)平板顯示產(chǎn)業(yè)增速將至少維持在 20-25%;對應(yīng)到國內(nèi)顯示靶材的需求也將相應(yīng)增加。

    2、半導(dǎo)體靶材:靶材應(yīng)用的戰(zhàn)略高地17-20 年全球半導(dǎo)體增速有望超預(yù)期, 17 年國內(nèi)半導(dǎo)體增速 24.81%。 半導(dǎo)體靶材性能要求位居各類應(yīng)用之首。 半導(dǎo)體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝測試材料。芯片制造對濺射靶材純度要求很高,通常需達(dá) 99.9995%(5N5)甚至 99.9999%(6N)以上。 2017 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超預(yù)期增速 21.62%,從下游需求結(jié)構(gòu)看,17 年增長主要源于半導(dǎo)體的主要應(yīng)用是集成電路中的存儲(chǔ)器,增速達(dá)到 61.49%,增量來源于人工智能、大數(shù)據(jù)、汽車電子等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒枨罂焖偬嵘?從 15年開始國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)維持 20%左右增速,漸成常態(tài)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從臺(tái)灣向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢比較確定,國內(nèi)政策、資金、稅收等各方面也在扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。 國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金第一期規(guī)模 1,387 億元。,至少帶動(dòng)省市地方基金共 4,651億元,拉動(dòng)國內(nèi)企業(yè)內(nèi)生增長和海外并購。 未來第二期基金計(jì)劃啟動(dòng),也將持續(xù)拉動(dòng)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長。

2012-2017 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模

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2012-2017 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模

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    2011-2016 全球半導(dǎo)體用靶材年復(fù)合增長率 3.17%, 預(yù)計(jì) 2018-2020 國內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求增速在 20%左右。 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)全球半導(dǎo)體用濺射靶材銷售額從 2011 年的 10.1 億美元到 2016 年為 11.7 億美元,年均復(fù)合增長率為 3.17%,其中晶圓制造用濺射靶材年均復(fù)合增長率為 2.07%,封裝測試用濺射靶材年均復(fù)合增長率為 4.65%。2016 年我國集成電路用濺射靶材市場規(guī)模約 14 億元,年增速達(dá) 20%。供給端,隨著國產(chǎn)濺射靶材技術(shù)成熟,尤其是國產(chǎn)濺射靶材具備一定性價(jià)比優(yōu)勢,并且符合濺射靶材國產(chǎn)化的政策導(dǎo)向;需求端,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢已基本確立,國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起將推動(dòng)國內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求的提升。預(yù)計(jì) 2018-2020 年我國濺射靶材的市場規(guī)模有望持續(xù)擴(kuò)大,復(fù)合增速將維持在 2016 年 20%左右增速水平。

    3、磁記錄: 應(yīng)用市場規(guī)模可觀,有望從日韓轉(zhuǎn)移國產(chǎn)替代規(guī)??捎^, 不容忽略。 靶材在磁記錄領(lǐng)域的應(yīng)用容易被市場忽略,一方面因?yàn)閷?yīng)的磁記錄下游增速不算快。 2012-2017 年我國信息記錄材料市場規(guī)模復(fù)合增速約 10%),另一方面磁記錄靶材在純度上要求并不如半導(dǎo)體和顯示靶材要求高。1)靶材的技術(shù)水平指標(biāo)不僅有純度,在材料缺陷、表面質(zhì)量控制、材料均一性等維度都有嚴(yán)格控制指標(biāo); 2)實(shí)際上磁記錄靶材生產(chǎn)多數(shù)掌握在韓國、臺(tái)灣等企業(yè),國內(nèi)實(shí)際上生產(chǎn)磁記錄靶材的企業(yè)和產(chǎn)量有限,國產(chǎn)替代化的存量空間可觀。

    太陽能用靶材: 靶材應(yīng)用的后起之秀

    2011-2016 全球太陽能用靶材增速保持 20%以上。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展給太陽能電池用濺射靶材市場帶來了可觀的成長空間, 2016 年全球太陽能電池用濺射靶材市場規(guī)模23.4 億美元,在全球靶材市場中占比約 21%。2011-2016 年全球太陽能靶材規(guī)模增速一直保持在 20%以上。

    三、中國靶材行業(yè)發(fā)展規(guī)模預(yù)測

    國內(nèi)靶材需求和供給反差懸殊,國產(chǎn)替代進(jìn)程加速。2015 國內(nèi)靶材需求全球占比近 25%,年速約 20%;但國內(nèi)靶材企業(yè)市場份額不到 2%,供需比例反差明顯。隨著國內(nèi)濺射靶材技術(shù)的成熟和高純鋁生產(chǎn)技術(shù)的提高,我國靶材生產(chǎn)成本優(yōu)勢明顯,靶材原料之一高純鋁的國內(nèi)進(jìn)出口量差距也在逐步縮小。隨著 2019 年國家進(jìn)口靶材免稅期結(jié)束,國內(nèi)靶材企業(yè)優(yōu)勢更加突出。預(yù)計(jì) 2018-2020 年國內(nèi)靶材需求將維持 20%以上高速增長,市場份額有望進(jìn)一步擴(kuò)大。

    綜上,以 2016 年國內(nèi)外靶材規(guī)模數(shù)據(jù)為基準(zhǔn),并假設(shè)國內(nèi)各類靶材的需求增速, 測算得出: 18-20 年國內(nèi)靶材市場需求增速達(dá) 20%以上。

2018-2020 國內(nèi)靶材市場規(guī)模預(yù)測

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    2012-2016 國內(nèi)顯示增速 25%2016 國內(nèi)顯示靶材增速 15%。

2018-2020 國內(nèi)靶材顯示市場預(yù)測

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2018-2020 國內(nèi)靶材磁記錄市場預(yù)測

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2018-2020 國內(nèi)濺射靶材半導(dǎo)體市場預(yù)測

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2018-2020 國內(nèi)濺射靶材薄膜太陽能市場預(yù)測

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2018-2020 國內(nèi)濺射靶材其他票預(yù)測

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2018-2020 國內(nèi)濺射靶材國內(nèi)需求市場規(guī)模及增速預(yù)測

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2018-2020 國內(nèi)濺射靶材薄膜太陽能市場預(yù)測

-
2016
2017
2018E
2019E
2020E
年增速假設(shè)
-
市場規(guī)模(億美元)
113
127.69
144.29
163.05
184.24
13%
-
顯示市場(億元)
80
100
125
156.25
195.31
25%
2012-2016 國內(nèi)顯示增速 25%2016 國內(nèi)顯示靶材增速 15%,
磁記錄市場(億元)
51.61
56.77
62.45
68.7
75.57
10%
跟隨下游磁記錄市場
半導(dǎo)體市場(億元)
14.8
17.76
21.31
25.57
30.69
20%
國內(nèi)半導(dǎo)體市場保持 20%增速,且靶材本身國產(chǎn)替代加速
薄膜太陽能市場(億元)
12
15.6
20.28
26.36
34.27
30%
2016 全球增速 26%,2015 國內(nèi)薄膜電池增速 50%
其他(億元)
10.68
12.07
13.64
15.41
17.41
13%
假設(shè)為全球平均水平
國內(nèi)需求市場規(guī)模(億元)
169.09
202.2
242.68
292.29
353.25
-
-
國內(nèi)增速(%)
-
20%
20%
20%
21%
20%
-

 

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