半導體光刻膠種類非常繁多,目前市場上已得到實際應用的主要半導體光刻膠,從曝光波長來分,可分為g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)和ArF(193nm)等4個種類。目前分辨率最高的半導體光刻膠為ArF光刻膠。
半導體光刻膠分類
光刻膠種類 | 對應曝光波長 | 對應IC制程技術(shù)節(jié)點 | 注釋 |
g線光刻膠 | 436nm | 0.5µm以上 | 正性膠為主,主要原料為酚醛樹脂和重氮萘醌化合物 |
i線光刻膠 | 365nm | 0.5~0.35µm | |
KrF光刻膠 | 248nm | 0.25~0.15µm | 正性膠和負性膠都有,主要原料為聚對羥基苯乙烯及其衍生物和光致產(chǎn)酸劑 |
ArF(干法) | 193nm | 65~130nm | 正性膠,主要原料是聚脂環(huán)族丙烯酸酯及其共聚物和光致產(chǎn)酸劑 |
ArF(浸濕法) | 45nm以下 |
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
g線和i線光刻膠是目前市場上使用量最大的光刻膠,但g線和i線光刻膠對應的IC制程節(jié)點較為早期。隨著未來功率半導、傳感器、LED市場的持續(xù)擴大,i線光刻膠市場將保持持續(xù)增長。隨著精細化需求的增加,未來一些使用i線光刻膠的應用將切換成KrF光刻膠,推動KrF光刻膠市場的增長。ArF光刻膠對應IC制程節(jié)點最為先進,在7nm制程的EUV技術(shù)成熟之前,ArF光刻膠仍將是主流,且隨著雙/多重曝光技術(shù)的使用,光刻膠的使用次數(shù)增加,ArF光刻膠的市場將快速成長。
全球光刻膠的市場份額
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半導體光刻膠配方比較穩(wěn)定,其專用化學品的市場規(guī)模與半導體光刻膠的市場規(guī)模基本保持同比例變動。2017年半導體光刻膠需求量較2016年增長7~8%,達到12億美元的市場規(guī)模。隨著下游應用功率半導體、傳感器、存儲器等需求擴大,未來光刻膠市場將持續(xù)擴大。
全球半導體光刻膠市場規(guī)模
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2025-2031年中國半導體光刻膠行業(yè)市場全景調(diào)研及產(chǎn)業(yè)趨勢研判報告
《2025-2031年中國半導體光刻膠行業(yè)市場全景調(diào)研及產(chǎn)業(yè)趨勢研判報告》共十章,包含中國半導體光刻膠行業(yè)發(fā)展環(huán)境洞察&SWOT分析,中國半導體光刻膠行業(yè)市場前景及發(fā)展趨勢分析,中國半導體光刻膠行業(yè)投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略及建議等內(nèi)容。



