半導(dǎo)體設(shè)備指生產(chǎn)半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品的專用設(shè)備。以中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)的分類口徑,半導(dǎo)體設(shè)備主要包括集成電路設(shè)備、光伏設(shè)備、LED設(shè)備。其中,集成電路設(shè)備附加值最高,包括前端集成電路制造設(shè)備與后端集成電路封測(cè)設(shè)備,最終品為應(yīng)用于電子、通信等各行業(yè)領(lǐng)域的芯片。
半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體行業(yè)的支撐行業(yè),主要應(yīng)用于IC制造(前端設(shè)備)、IC封測(cè)(后道設(shè)備)兩大領(lǐng)域。其中,IC制造設(shè)備又包括晶圓制造設(shè)備和晶圓加工設(shè)備。其中晶圓制造設(shè)備主要由硅片廠(如SUMCO、金瑞泓、上海新昇)進(jìn)行采購(gòu),最終產(chǎn)品為硅片;晶圓加工設(shè)備主要由代工廠(Foundry,如臺(tái)積電、中芯國(guó)際、上海長(zhǎng)虹)或IDM企業(yè)(如Intel、Samsung)進(jìn)行采購(gòu),最終產(chǎn)品為芯片;IC封測(cè)設(shè)備通常由專門的封測(cè)廠(如日月光、Amkor、長(zhǎng)電科技)進(jìn)行采購(gòu),包括揀選、測(cè)試、貼片、鍵合等多個(gè)環(huán)節(jié)。
光伏設(shè)備包含硅片設(shè)備、電池片設(shè)備、組件設(shè)備等,平價(jià)上網(wǎng)倒逼產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)加快技術(shù)革新,制造設(shè)備迭代速度同步提速。另一方面,國(guó)內(nèi)單晶爐、切斷機(jī)、清洗機(jī)、擴(kuò)散爐等均已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,國(guó)產(chǎn)化比例超過(guò)90%。
LED設(shè)備相對(duì)而言技術(shù)壁壘最低,已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。
半導(dǎo)體設(shè)備構(gòu)成
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一、全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額分析
智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)查及投資發(fā)展?jié)摿?bào)告》顯示:2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為645.3億美元,2019年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為597.5億美元,較2018年下降了7.41%。
2015-2019年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售情況
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全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)高度壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局,主要由國(guó)外廠商主導(dǎo)。2019年前四大半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商,憑借資金、技術(shù)、客戶資源、品牌等方面的優(yōu)勢(shì),占據(jù)了全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)69.85%的市場(chǎng)份額。其中阿斯麥在光刻機(jī)設(shè)備方面形成寡頭壟斷。應(yīng)用材料、東京電子和泛林半導(dǎo)體是等離子體刻蝕和薄膜沉積等半導(dǎo)體工藝設(shè)備的三強(qiáng)。
2019年全球十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商營(yíng)收規(guī)模及其市場(chǎng)份額
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2019Q4半導(dǎo)體設(shè)備銷售額178億美元,同比增長(zhǎng)19%,環(huán)比增長(zhǎng)24%,單季度半導(dǎo)體設(shè)備銷售額創(chuàng)歷史新高。按地區(qū)分布,貢獻(xiàn)最大的分別是中國(guó)大陸(同比增長(zhǎng)59%)、中國(guó)臺(tái)灣(同比增長(zhǎng)121%)。
全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額(十億美元)
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全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額(十億美元)
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三、全球迎來(lái)采購(gòu)大潮,國(guó)產(chǎn)品牌將全面突出
2019年下半年全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)強(qiáng)勢(shì)反彈及本土存儲(chǔ)廠研發(fā)線量產(chǎn)后加速擴(kuò)產(chǎn),2020年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)處于很好的市場(chǎng)環(huán)境,國(guó)產(chǎn)裝備與材料品牌將在新的一年里獲得較快發(fā)展時(shí)期,一是設(shè)備與材料龍頭經(jīng)營(yíng)規(guī)模延續(xù)高速增長(zhǎng),二是之前尚未突破的離子注入機(jī)、光刻機(jī)、涂膠顯影、量測(cè)設(shè)備等將涌現(xiàn)一批后起之秀。
1、5G應(yīng)用將使得存儲(chǔ)廠商的設(shè)備采購(gòu)需求回升,5G時(shí)代存儲(chǔ)芯片也將迎來(lái)變革和大幅增長(zhǎng)
5G手機(jī)的存儲(chǔ)容量將大幅增加。5G手機(jī)因傳輸速度快,對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力將較4G手機(jī)高出1倍以上,通常4G手機(jī)存儲(chǔ)容量64-256GB,而5G手機(jī)的存儲(chǔ)容量將在512GB以上。
據(jù)西部數(shù)據(jù)的估計(jì),移動(dòng)數(shù)據(jù)2016-2021年每年保持40%-50%增速,其中移動(dòng)視頻到2021年將增長(zhǎng)870%,增速最快,可見(jiàn)移動(dòng)終端的存儲(chǔ)容量將越來(lái)越大。
移動(dòng)數(shù)據(jù)2016-2021年每年保持40%-50%增長(zhǎng)
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5G時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在底層技術(shù)上也將發(fā)生變化。一是存儲(chǔ)內(nèi)容上的變化。存儲(chǔ)對(duì)象將包括AR/VR、視頻、文字、數(shù)字等,需要有專門的存儲(chǔ)模式。一個(gè)典型的實(shí)例就是抖音和快手等,4G時(shí)代已經(jīng)實(shí)現(xiàn)短視頻的快速傳輸、處理和存儲(chǔ),在5G時(shí)代高達(dá)GBPS級(jí)別的傳輸速度,短視頻甚至演變成中長(zhǎng)視頻、更清晰視頻。二是讀寫速度等性能要求會(huì)更高。
“芯拐點(diǎn)”、新制程、新產(chǎn)能推動(dòng)需求。判斷本輪反轉(zhuǎn)首先來(lái)自于全球“芯”拐點(diǎn),行業(yè)向上;其次,先進(jìn)制程帶來(lái)的資本開支越來(lái)越重,7nm投資在100億美元,研發(fā)30億美元;5~3nm投資在200億美元;7nm單位面積生產(chǎn)成本跳升,較14nm直接翻倍;并且,大陸晶圓廠投建帶動(dòng)更多設(shè)備投資需求。
全球半導(dǎo)體資本開資(百萬(wàn)美元)
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100K產(chǎn)能對(duì)應(yīng)投資額要求(億美元)
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國(guó)內(nèi)晶圓廠建設(shè)即將鍵入高峰期,內(nèi)資采購(gòu)市場(chǎng)仍有提升空間。根據(jù)已經(jīng)披露的國(guó)內(nèi)規(guī)劃在建的晶圓廠投資規(guī)劃統(tǒng)計(jì),2020~2022年晶圓廠投資額將是歷史上最高的三年,并且隨著國(guó)內(nèi)對(duì)于半導(dǎo)體制造國(guó)產(chǎn)替代的需求增加,未來(lái)可能還會(huì)有新增的投資項(xiàng)目。中國(guó)大陸設(shè)備需求已經(jīng)達(dá)到全球設(shè)備需求的20~30%,但考慮到大陸的需求有一半來(lái)自于英特爾、三星、臺(tái)積電等外國(guó)公司的投資,實(shí)際上內(nèi)資采購(gòu)金額的市場(chǎng)空間約10%。
國(guó)內(nèi)晶圓廠規(guī)劃投資額
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2018年全球集成電路前段設(shè)備市場(chǎng)分布情況
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Capex進(jìn)入上行期,臺(tái)積電、中芯國(guó)際紛紛增加資本開支。臺(tái)積電率先推進(jìn)大幅資本開資提升,推進(jìn)先進(jìn)制程應(yīng)用。臺(tái)積電2018年資本開支104億美元,2019年提升會(huì)148億美元,2020年預(yù)期150~160億美元。中芯國(guó)際2019年資本開支22億美元,預(yù)期2020年上升至31億美元,開啟新一輪資本開支。
晶圓代工企業(yè)資本開支(百萬(wàn)美元)
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設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率較低,海外龍頭壟斷性較高。半導(dǎo)體前道設(shè)備市場(chǎng)集中度較高,且多為海外龍頭占據(jù)主要份額。目前,我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)仍非常依賴進(jìn)口,從市場(chǎng)格局來(lái)看,細(xì)分市場(chǎng)均有較高集中度,主要參與廠商一般不超過(guò)5家,top3份額往往高于90%,部分設(shè)備甚至出現(xiàn)一家獨(dú)大的情況
2、本土晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)提速,大陸設(shè)備采購(gòu)大潮已來(lái)
今年大陸多個(gè)晶圓廠陸續(xù)投產(chǎn)/量產(chǎn)
今年9月,華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)項(xiàng)目、廣州粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目、合肥長(zhǎng)鑫DRAM項(xiàng)目均正式投產(chǎn)。今年年底到明年年初,國(guó)內(nèi)包括燕東微電子、上海積塔半導(dǎo)體等的多條8寸線也將陸續(xù)投產(chǎn)。
隨著研發(fā)產(chǎn)線投產(chǎn)后,多個(gè)晶圓廠開啟了新一輪設(shè)備采購(gòu)步伐,包括:
(1) | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)于8月份開始了新的1萬(wàn)片/月產(chǎn)能的設(shè)備采購(gòu),預(yù)計(jì)年末還將加大采購(gòu)力度,預(yù)計(jì)2020年底產(chǎn)能達(dá)到5-6萬(wàn)片/月。長(zhǎng)江存儲(chǔ)2017年至2019年一季度累計(jì)采購(gòu)19臺(tái)光刻機(jī),2019年三季度長(zhǎng)江存儲(chǔ)公布新招標(biāo)4臺(tái)光刻機(jī)設(shè)備,并招標(biāo)采購(gòu)接近100臺(tái)的其他工藝設(shè)備。 |
(2) | 華力二期去年投產(chǎn),今年也已啟動(dòng)新1萬(wàn)片/月產(chǎn)能的設(shè)備采購(gòu)。華力二期在2017年集中采購(gòu)了7臺(tái)光刻機(jī),2019年7月新采購(gòu)3臺(tái)光刻機(jī)。 |
(3) | 華虹無(wú)錫項(xiàng)目一期1萬(wàn)片/月9月投產(chǎn),已啟動(dòng)新的1萬(wàn)片/月設(shè)備采購(gòu)。華虹無(wú)錫2018年采購(gòu)4臺(tái)光刻機(jī),2019年8月新采購(gòu)2臺(tái)光刻機(jī)。 |
(4) | 合肥長(zhǎng)鑫目前設(shè)備產(chǎn)能約2萬(wàn)片/月,預(yù)計(jì)2020年底產(chǎn)能達(dá)4萬(wàn)片/月。 |
(5) | 廣州粵芯首期3千片/月9月投產(chǎn),預(yù)計(jì)短期會(huì)擴(kuò)產(chǎn)到1.8萬(wàn)片/月。 |
(6) | 上海積塔8寸線也將投產(chǎn),預(yù)計(jì)2020年初將啟動(dòng)12寸產(chǎn)線設(shè)備采購(gòu)。 |
(7) | 燕東微電子8寸線即將投產(chǎn),12寸線設(shè)備采購(gòu)值得期待。 |
(8) | 中芯南方計(jì)劃總投資102億美元,建設(shè)兩條產(chǎn)能均為3.5萬(wàn)片/月芯片的14nm集成電路生產(chǎn)線,預(yù)計(jì)今年年底14nmFinFET開始商業(yè)化生產(chǎn)。 |
長(zhǎng)江存儲(chǔ):已啟動(dòng)新一輪設(shè)備采購(gòu)工作
今年年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3DNand,明年開始逐步提升產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模,且2020年會(huì)生產(chǎn)128層堆棧3DNand。
根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏,估計(jì)今年一季度產(chǎn)能達(dá)到5K片/月,到今年年底產(chǎn)能達(dá)到2-2.5萬(wàn)片/月,如果要達(dá)到明年年底6萬(wàn)片/月的產(chǎn)能目標(biāo),還需采購(gòu)3-3.5萬(wàn)片/月的工藝設(shè)備。
從長(zhǎng)江存儲(chǔ)的光刻機(jī)采購(gòu)進(jìn)度看,2017年二季度至2019年一季度,累計(jì)采購(gòu)19臺(tái)光刻機(jī),其中7臺(tái)來(lái)自Canon,12臺(tái)來(lái)自ASML。2019年三季度,長(zhǎng)江存儲(chǔ)公布新招標(biāo)4臺(tái)光刻機(jī)設(shè)備,包括3臺(tái)248nm光刻機(jī)和1臺(tái)浸沒(méi)式光刻機(jī)。
華力二期:正處于新一輪設(shè)備采購(gòu)中
根據(jù)電子工程世界等,2018年10月18日,華力微電子二期12寸先進(jìn)生產(chǎn)線正式建成投片,產(chǎn)能達(dá)到1萬(wàn)片/月。
華力二期12英寸項(xiàng)目2016年9月正式啟動(dòng),總投資387億元,項(xiàng)目在浦東新區(qū)康橋工業(yè)區(qū)南區(qū)建設(shè)一條月產(chǎn)能4萬(wàn)片,工藝為28-20-14納米的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線。
根據(jù)中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng),華力二期集中在2017年9月和11月合計(jì)集中采購(gòu)了7臺(tái)光刻機(jī),2019年7月新采購(gòu)了3臺(tái)光刻機(jī)。華力二期光刻機(jī)100%都由荷蘭ASML供應(yīng)。
華虹無(wú)錫:也處在新一輪設(shè)備采購(gòu)中
2018年4月3日,華虹集團(tuán)宣布位于無(wú)錫的華虹半導(dǎo)體七廠開工,總投資100億美元,一期項(xiàng)目總投資約25億美元,新建一條工藝等級(jí)90-65/55nm、月產(chǎn)能約4萬(wàn)片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線,支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。
今年9月17日,華虹集團(tuán)宣布旗下華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司的12英寸晶圓廠正式投產(chǎn),主要生產(chǎn)55nm工藝特種芯片。
根據(jù)中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng),華虹無(wú)錫集中在2018年11月集中采購(gòu)了4臺(tái)光刻機(jī),2019年8月新采購(gòu)了2臺(tái)365nm中紫外線掃描式光刻機(jī)。華虹無(wú)錫光刻機(jī)100%都由荷蘭ASML供應(yīng)。
3、國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)入全面突破時(shí)期,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)看進(jìn)口替代
隨著全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)進(jìn)入景氣上行階段,且本土晶圓廠擴(kuò)張?zhí)崴?,?guó)產(chǎn)設(shè)備也將迎來(lái)快速發(fā)展,同時(shí),國(guó)產(chǎn)設(shè)備市占率也有望在國(guó)際品牌交貨緊張的情況下,緩解2019年所面臨的價(jià)格壓力,并加快進(jìn)口替代步伐。
主要晶圓廠制程設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率處于10%的水平
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各類制程設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率:
(1) | 去膠設(shè)備 | 國(guó)產(chǎn)化率最高的是去膠設(shè)備,主要是屹唐半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了去膠設(shè)備國(guó)產(chǎn)化; |
(2) | 清洗設(shè)備 | 國(guó)產(chǎn)化率約為20%左右,本土品牌主要是盛美半導(dǎo)體、北方華創(chuàng); |
(3) | 刻蝕設(shè)備 | 國(guó)產(chǎn)化率約為20%左右,本土品牌包括中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體; |
(4) | 熱處理設(shè)備 | 國(guó)產(chǎn)化率約為20%左右,本土品牌包括北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體; |
(5) | PVD設(shè)備 | 國(guó)產(chǎn)化率約為10%左右,本土品牌包括北方華創(chuàng); |
(6) | CMP設(shè)備 | 國(guó)產(chǎn)化率約為10%左右,本土品牌包括華海清科; |
(7) | CVD設(shè)備 | 有零的突破,但總體國(guó)產(chǎn)化率不高于5%,本體品牌是沈陽(yáng)拓荊; |
(8) | 量測(cè)設(shè)備 | 國(guó)產(chǎn)化率2%左右,本土品牌包括上海睿勵(lì)、中科飛測(cè)、上海精測(cè)半導(dǎo)體; |
(9) | 離子注入機(jī) | 國(guó)產(chǎn)化有零的突破,本土品牌包括中科信、凱世通等; |
(10) | 涂膠顯影設(shè)備 | 國(guó)產(chǎn)化有零的突破,本土品牌包括沈陽(yáng)芯源; |
(11) | 光刻設(shè)備 | 預(yù)計(jì)國(guó)產(chǎn)化將有零的突破,本土品牌是上海微電子。 |
中微已參與到臺(tái)積電的先進(jìn)制程
根據(jù)集微網(wǎng)、DRAMeXchange等,2017年底,作為5家刻蝕設(shè)備供應(yīng)商之一,中微被TSMC納入7nm制程設(shè)備采購(gòu)名單,2018年底其自主研發(fā)的5nm等離子刻蝕機(jī)經(jīng)TSMC驗(yàn)證通過(guò)。在臺(tái)積電7nm制程繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn),以及5nm制程產(chǎn)線建設(shè)期間,中微的等離子刻蝕機(jī)臺(tái)有望迎來(lái)旺盛需求,享受5G手機(jī)帶來(lái)對(duì)先進(jìn)制程工藝設(shè)備的爆發(fā)式需求增長(zhǎng)。
測(cè)試設(shè)備:國(guó)產(chǎn)品牌開始邁向SOC和Memory測(cè)試市場(chǎng)
半導(dǎo)體測(cè)試細(xì)分為:SOC測(cè)試,RF測(cè)試、MemoryIC測(cè)試和AnalogIC測(cè)試。其中SOC測(cè)試占到ATE的64%,MemoryIC和RF測(cè)試設(shè)備各占15-20%。2018年全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約為55-60億美元,按64%的比例推算,SOC測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模估計(jì)為36億美元。
SOC測(cè)試占半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的2/3
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SOC測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)主要被泰瑞達(dá)、愛(ài)德萬(wàn)壟斷。5G手機(jī)SOC芯片測(cè)試難度更大,市場(chǎng)集成度有望繼續(xù)提升。
全球SOC芯片測(cè)試競(jìng)爭(zhēng)格局
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盡管精測(cè)電子、長(zhǎng)川科技、北京華峰測(cè)控、北京冠中集創(chuàng)、金海通等實(shí)現(xiàn)部分測(cè)試設(shè)備或分選機(jī)的國(guó)產(chǎn)化突破,但國(guó)產(chǎn)品牌主要聚焦在國(guó)內(nèi)較為成熟的電源管理芯片測(cè)試設(shè)備等領(lǐng)域,而SOC和Memory芯片測(cè)試設(shè)備仍主要依賴于美國(guó)泰瑞達(dá)和日本愛(ài)德萬(wàn)等進(jìn)口品牌。精測(cè)電子、長(zhǎng)川科技、北京冠中集創(chuàng)等布局的數(shù)字測(cè)試設(shè)備急需市場(chǎng)培育。
硅片生長(zhǎng)與加工設(shè)備:晶盛與晶能雙雙突破
半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目眾多,但絕大部分設(shè)備依賴進(jìn),對(duì)日本設(shè)備廠商依賴程度高:
(1) | 長(zhǎng)晶爐 | 進(jìn)口品牌韓國(guó)S-TECH,國(guó)產(chǎn)品牌晶盛機(jī)電、南京晶能,晶盛機(jī)電有望實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)晶爐國(guó)產(chǎn)化; |
(2) | 研磨設(shè)備 | 95%以上來(lái)自日本,包括設(shè)備廠商?hào)|京工程、光洋機(jī)械、東京精機(jī)、HAMAI等;晶盛機(jī)電有望實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化; |
(3) | 拋光 | 100%依賴進(jìn)口,外資品牌包括Lapmaster、不二越、OKAMOTO、東京精機(jī); |
(4) | 減薄 | 100%從日本進(jìn)口,包括DISCO、光洋機(jī)械、OKAMOTO(岡本機(jī)械)。 |
主要大硅片產(chǎn)線的設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率為10%-20%
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晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)中環(huán)領(lǐng)先長(zhǎng)晶爐和切割設(shè)備國(guó)產(chǎn)化,目前已布局單晶硅棒滾磨一體機(jī)、拋光機(jī)、雙面研磨、晶圓邊緣檢測(cè)設(shè)備。
晶盛機(jī)電加快在大硅片設(shè)備的布局,主要包括:
(1) | 承擔(dān)國(guó)家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”項(xiàng)目的“300mm硅單晶直拉生長(zhǎng)裝備的開發(fā)”和“8英寸區(qū)熔硅單晶爐國(guó)產(chǎn)設(shè)備研制”兩項(xiàng)課題,已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段; |
(2) | 晶盛機(jī)電于2017年和美國(guó)Revasum公司就200mm硅片拋光設(shè)備達(dá)成合作共識(shí),2018年向市場(chǎng)正式推出8英寸拋光機(jī); |
(3) | 成功研發(fā)6-12英寸晶體滾圓機(jī)、截?cái)鄼C(jī)、雙面研磨機(jī)及6-8英寸全自動(dòng)硅片拋光機(jī),已逐步批量銷售;2018年公告新訂單4-5億元; |
(4) | 逐步布局半導(dǎo)體相關(guān)輔材、耗材、關(guān)鍵零部件業(yè)務(wù),增加了半導(dǎo)體拋光液、閥門、磁流體部件、16-32英寸坩堝等新產(chǎn)品; |
(5) | 參與投資無(wú)錫集成電路大硅片生產(chǎn)項(xiàng)目,引進(jìn)國(guó)外先進(jìn)設(shè)備,強(qiáng)化在高端精密加工領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力,建立技術(shù)和產(chǎn)品質(zhì)量領(lǐng)先的大型高真空精密零部件制造基地。 |
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2025-2031年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備電源行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)及未來(lái)趨勢(shì)研判報(bào)告
《2025-2031年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備電源行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)及未來(lái)趨勢(shì)研判報(bào)告》共八章,包含中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備電源行業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及全產(chǎn)業(yè)鏈布局狀況研究,中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備電源行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)布局案例研究,中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備電源行業(yè)市場(chǎng)及投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略建議等內(nèi)容。



