一、功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及其應(yīng)用領(lǐng)域概述
功率半導(dǎo)體器件(Power Semiconductor Device)也稱(chēng)為電力電子器件,是用于對(duì)電流、電壓、頻率、相位、相數(shù)等進(jìn)行變換和控制,以實(shí)現(xiàn)整流(AC/DC)、逆變(DC/AC)、斬波(DC/DC)、開(kāi)關(guān)、放大等各種功能的半導(dǎo)體電子器件。
從技術(shù)的角度來(lái)看,功率半導(dǎo)體與大規(guī)模集成電路是半導(dǎo)體技術(shù)(更具體說(shuō)是微電子技術(shù))中相互獨(dú)立平行發(fā)展又時(shí)有交叉的兩個(gè)不同的專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域,分別解決不同的專(zhuān)業(yè)技術(shù)問(wèn)題,滿(mǎn)足不同的應(yīng)用需要:大規(guī)模集成電路用于對(duì)信息進(jìn)行處理、存貯與轉(zhuǎn)換,而功率半導(dǎo)體器件則是用于電源電路和功率控制電路的主體產(chǎn)品。
從產(chǎn)品類(lèi)型來(lái)看,功率半導(dǎo)體主要分為功率器件、功率IC。功率半導(dǎo)體和超大規(guī)模集成電路(VLSI)一起構(gòu)成了半導(dǎo)體的兩大分支。按照分立和集成的區(qū)別,功率半導(dǎo)體器件又可細(xì)分為功率分立器件和功率集成電路。
功率半導(dǎo)體產(chǎn)品分類(lèi)
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其中功率器件主要包括二極管、晶體管、晶閘管三大類(lèi)別,其中晶體管是分立器件中市場(chǎng)份額最大的種類(lèi)。常見(jiàn)晶體管主要有BJT、IGBT和MOSFET。MOSFET和IGBT逐漸成為主流,而多個(gè)IGBT可以集成為IPM模塊,用于大電流和大電壓的環(huán)境。功率IC是由功率半導(dǎo)體與驅(qū)動(dòng)電路、電源管理芯片等集成而來(lái)的模塊,主要應(yīng)用在小電流和低電壓的環(huán)境。各類(lèi)型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域如下表所示:
功率半導(dǎo)體各項(xiàng)參數(shù)、特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ρ?/p>
類(lèi)型 | 可控性 | 驅(qū)動(dòng)形式 | 導(dǎo)通方向 | 電壓 | 特點(diǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 |
功率二極管 | 不可控 | 電流驅(qū)動(dòng) | 單向 | 低于1V | 電壓電流小,只能單項(xiàng)導(dǎo)電 | 電子設(shè)備、工業(yè) |
晶閘管 | 半控型 | 電壓驅(qū)動(dòng) | 單向 | 幾千伏 | 體積小、耐壓高 | 工業(yè)、UPS、電焊機(jī)、變頻器 |
MOSFET | 全控型 | 電壓驅(qū)動(dòng) | 雙向 | 十幾伏到1000伏 | 能承受高電壓,不能放大電壓 | 電機(jī)、逆變器、高鐵、汽車(chē) |
IGBT | 全控型 | 電壓驅(qū)動(dòng) | 雙向 | 600V以上 | 開(kāi)關(guān)頻率高,不耐超高壓,可改變電壓 | 高速開(kāi)關(guān)電源 |
功率IC | 功率IC通常有功率器件、電源管理芯片和驅(qū)動(dòng)電路集成而來(lái) | 體積小、重量輕、引出線(xiàn)和焊接點(diǎn)少、壽命長(zhǎng)??煽啃愿摺⑿阅芎?、成本低、便于大規(guī)模生產(chǎn) | 電子產(chǎn)品 |
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二、全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)概述
1、功率半導(dǎo)體應(yīng)用范圍及其市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素
功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,本質(zhì)上,是通過(guò)利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫?shí)現(xiàn)電源開(kāi)關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能,來(lái)實(shí)現(xiàn)變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開(kāi)關(guān)等。
毫不夸張地說(shuō),當(dāng)今世界一切涉及發(fā)電、輸電、變電、 配電、用電、儲(chǔ)電的環(huán)節(jié)都離不開(kāi)功率半導(dǎo)體。因此,功率半導(dǎo)體器件作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)建設(shè)幾乎一切部門(mén)。尤其是在大功率、大電流、高頻高速、低噪聲等應(yīng)用領(lǐng)域起著無(wú)法替代的關(guān)鍵作用,被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、通信、消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域。
根據(jù)功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)功率、操作頻率的不同,其具體的應(yīng)用領(lǐng)域也有較大的差別,具體如下圖所示:
各類(lèi)型功率半導(dǎo)體具體應(yīng)用領(lǐng)域
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行業(yè)的發(fā)展主要由需求驅(qū)動(dòng),同時(shí)技術(shù)的發(fā)展在很大程度上促進(jìn)了產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)張。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍從傳統(tǒng)的輸配電,大功率、高電壓工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域不斷向終端的電子產(chǎn)品擴(kuò)張。
隨著世界各國(guó)對(duì)節(jié)能減排的需求越來(lái)越迫切,功率半導(dǎo)體器件已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車(chē))領(lǐng)域邁向新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多產(chǎn)業(yè)。功率半導(dǎo)體的發(fā)展使得變頻設(shè)備廣泛的應(yīng)用與日常的消費(fèi),促進(jìn)了清潔能源、電力終端消費(fèi)、以及終端消費(fèi)電子的產(chǎn)品發(fā)展。
功率半導(dǎo)體下游各行業(yè)的的主要驅(qū)動(dòng)因素
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2、全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模走勢(shì)
近年來(lái),隨著電子制造業(yè)的持續(xù)發(fā)展,電力終端消費(fèi)增加,電氣化,自動(dòng)化發(fā)展迅速,2014年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模僅為227億美元,2018年增長(zhǎng)至363億美元。受益于折舊帶來(lái)的替換市場(chǎng)、電氣化程度加深帶來(lái)的新增市場(chǎng)以及供需格局帶來(lái)的價(jià)格增長(zhǎng),2016年—2018年全球功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速,2019年行業(yè)增長(zhǎng)速度有較為明顯的放緩,主要受中美貿(mào)易戰(zhàn),全球經(jīng)濟(jì)下行壓力增加,中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)回落等諸多因素影響,全年市場(chǎng)規(guī)模約為382億美元。
2014-2019年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模走勢(shì)
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3、全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
從全球的細(xì)分產(chǎn)品格局來(lái)看,功率IC是最大的市場(chǎng),且近年來(lái)占比有所提升,其次是MOSFET,受IGBT替代影響,增長(zhǎng)有所放緩;二極管占比總體穩(wěn)定,IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)穩(wěn)定,占比持續(xù)提升。
2019年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
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從應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看,汽車(chē)領(lǐng)域是全球功率半導(dǎo)體最為主要的市場(chǎng),其次是工業(yè)與消費(fèi)電子領(lǐng)域。近幾年來(lái),由于新能源汽車(chē)的發(fā)展,汽車(chē)的電子化、智能化發(fā)展迅速,汽車(chē)領(lǐng)域的占比持續(xù)提升,2019年汽車(chē)行業(yè)對(duì)功率半導(dǎo)體的需求規(guī)模占到總體規(guī)模的35.4%,消費(fèi)電子領(lǐng)域占比也保持較為穩(wěn)定的擴(kuò)張態(tài)勢(shì),2019年占比達(dá)到了13.2%。
2019年全球功率半導(dǎo)體分行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模占比
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4、功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
從功率半導(dǎo)體的技術(shù)發(fā)展歷程和趨勢(shì)來(lái)看,產(chǎn)品的性能要求變化基本沒(méi)有太大的變化,主要體現(xiàn)為更高的功率、更小體積、更低的損耗與更好的性?xún)r(jià)比四點(diǎn),分別對(duì)應(yīng)新型功率半導(dǎo)體技術(shù)廣泛應(yīng)用和發(fā)展的四個(gè)階段。
功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展應(yīng)用階段及其主要技術(shù)方向
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近幾年來(lái),隨著第三代化合物半導(dǎo)體迅速發(fā)展,SiC與GaN功率器件的應(yīng)用規(guī)模開(kāi)始持續(xù)增長(zhǎng)。相對(duì)于傳統(tǒng)的硅襯底,化合物半導(dǎo)體具有更寬的禁寬,能夠適用于更高的功率要求,同時(shí)具有更好的導(dǎo)熱性能,因此以化合物半導(dǎo)為襯底制作的功率器件具有更高的性能和效率。
但由于生產(chǎn)規(guī)模還相對(duì)較小,生產(chǎn)技術(shù)有待成熟,產(chǎn)品價(jià)格相對(duì)較高,性?xún)r(jià)比較低,應(yīng)用受到了較大的限制。未來(lái)隨著化合物半導(dǎo)體的制造成本不斷降低,生產(chǎn)規(guī)模逐步擴(kuò)大,行業(yè)的規(guī)模效益更加成熟,憑借其性能優(yōu)勢(shì),有望取代硅基的功率半導(dǎo)體器件。
三、中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展
由于功率半導(dǎo)體是下游產(chǎn)品核心零部件,對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量、使用年限、設(shè)備的安全性都有極為重要的影響,因此行業(yè)具有極高的進(jìn)入壁壘,下游企業(yè)的供應(yīng)商的資質(zhì)、技術(shù)要求嚴(yán)格,同時(shí)嚴(yán)格的供應(yīng)商資質(zhì)認(rèn)定,以及基于長(zhǎng)期合作而形成的穩(wěn)定客戶(hù)關(guān)系,對(duì)新進(jìn)入者形成較強(qiáng)的市場(chǎng)進(jìn)入壁壘。
相對(duì)于發(fā)達(dá)國(guó)家,中國(guó)的功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展起步相對(duì)較晚,技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)品穩(wěn)定性與行內(nèi)主要企業(yè)相比,仍然存在較大的差距,不能很好的滿(mǎn)足行業(yè)下游的市場(chǎng)需求??傮w而言,目前中國(guó)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模發(fā)展較快,但總量仍不能滿(mǎn)足需求,特別是中高檔產(chǎn)品仍一定程度依賴(lài)進(jìn)口。盡管中國(guó)已經(jīng)成為全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要市場(chǎng),但中國(guó)功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造能力還有待提高,特別是在新型材料半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,與國(guó)外領(lǐng)先企業(yè)仍存在較大差距。
智研咨詢(xún)發(fā)布的《2020-2026年中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)作模式及投資前景展望報(bào)告》指出:目前中國(guó)的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模占全球市場(chǎng)規(guī)模35%左右,是全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),約為940.8億元。近幾年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的迅速增長(zhǎng)主要是由于兩個(gè)方面,一方面是下游行業(yè)的持續(xù)發(fā)展,行業(yè)需求增加,中高端產(chǎn)品需求持續(xù)上升,另一方面則是由于中國(guó)經(jīng)濟(jì)增速放緩,2014年之后,人民幣對(duì)美元的匯率持續(xù)走低,推高了進(jìn)口成本,國(guó)內(nèi)進(jìn)口產(chǎn)品價(jià)格也保持相對(duì)穩(wěn)定的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
2014-2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模走勢(shì)
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從應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看,電力工業(yè)、消費(fèi)電子、汽車(chē)、工業(yè)電源、通信等領(lǐng)域是我國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域需求最大的幾個(gè)領(lǐng)域。電力工業(yè)占比約為15.26%,汽車(chē)領(lǐng)域占比達(dá)到了27.41%,相對(duì)于全球市場(chǎng),仍有較大的提升空間。
2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模占比
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從行業(yè)市場(chǎng)特點(diǎn)來(lái)看,目前中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主要呈現(xiàn)出以下幾個(gè)特點(diǎn):
中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展特點(diǎn)
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總體而言,中國(guó)的功率半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)出明顯的供需不匹配的特點(diǎn),國(guó)內(nèi)以低端產(chǎn)品為主,國(guó)產(chǎn)替代缺口巨大,尤其是中高端MOSFET及IGBT器件中,90%依賴(lài)于進(jìn)口。近幾年隨著行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步,在電力領(lǐng)域的中高端MOSFET,以及軌道交通領(lǐng)域的IGBT器件方面已經(jīng)取得了較為明顯的技術(shù)進(jìn)步,國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速。但在對(duì)成本要求更為嚴(yán)格的領(lǐng)域,仍有較大的不足。
此外值得注意的是,化合物半導(dǎo)體在功率器件中的應(yīng)用逐漸加速,目前化合物半導(dǎo)體在這一領(lǐng)域的應(yīng)用主要為SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件,國(guó)際上出現(xiàn)該類(lèi)商業(yè)化產(chǎn)品的時(shí)間較短,并受技術(shù)成熟度和成本的制約,尚處于市場(chǎng)開(kāi)拓的初期階段,未廣泛普及。目前SiC和GaN電力半導(dǎo)體器件的主要供應(yīng)商有科銳(Cree)、英飛凌、安森美、東芝、富士和三菱等企業(yè)。
中國(guó)的在SiC和GaN領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展相對(duì)較快,目前已經(jīng)形成了一定的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),部分企業(yè)也進(jìn)入了規(guī)?;a(chǎn)階段,技術(shù)實(shí)力在全球也處于先進(jìn)水平。近兩年了,SiC和GaN功率器件的投資項(xiàng)目逐漸增加,如聞泰科技車(chē)載GaN實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),三安光電的化合物半導(dǎo)體代工,已完成部分GaN的產(chǎn)線(xiàn)布局,并決定在長(zhǎng)沙投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長(zhǎng)晶-襯底制作-外延生長(zhǎng)-芯片制備-封裝產(chǎn)業(yè)鏈,投資總額160億元。預(yù)計(jì)未來(lái),在國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)需求以及國(guó)家政策的支持下,在這一領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē),促進(jìn)中國(guó)的功率半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展。
總的來(lái)看,隨著下游各行業(yè)的發(fā)展,中國(guó)的制造業(yè)在全球的競(jìng)爭(zhēng)力持續(xù)增強(qiáng),制造業(yè)產(chǎn)能持續(xù)向亞太地區(qū)轉(zhuǎn)移,中國(guó)的功率半導(dǎo)體行業(yè)也有較為明顯的發(fā)展機(jī)遇,國(guó)產(chǎn)替代有望加速。在光電、軌道交通、電力電子、消費(fèi)電子領(lǐng)域有望更高速的進(jìn)口替代。


2025-2031年中國(guó)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場(chǎng)供需態(tài)勢(shì)及發(fā)展前景研判報(bào)告
《2025-2031年中國(guó)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場(chǎng)供需態(tài)勢(shì)及發(fā)展前景研判報(bào)告》共十二章,包含2025-2031年功率半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展及行業(yè)前景分析,2025-2031年中國(guó)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)投資分析,2025-2031年中國(guó)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)投資策略及投資建議分析等內(nèi)容。



