半導體設備行業(yè)快報：65NM ARF光刻機官宣 國產光刻機行則將至

事件點評

65nm ArF 光刻機官宣，參數對標ASML1460K 及Nikon S322F。為促進首臺（套）重大技術裝備創(chuàng)新發(fā)展和推廣應用，加強產業(yè)、財政、金融、科技等國家支持政策的協(xié)同，工業(yè)和信息化部印發(fā)《首臺（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024 年版）》。根據市場監(jiān)管總局等五部門聯(lián)合印發(fā)的《中國首臺（套）重大技術裝備檢測評定管理辦法（試行）》，該文件對中國首臺（套）重大技術裝備做出了明確定義：指在國內實現重大技術突破、擁有自主知識產權，但尚未在市場上取得明顯業(yè)績的裝備產品，包括整機設備、核心系統(tǒng)和關鍵零部件等。

在《首臺（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024 年版）》電子專用裝備目錄下，集成電路設備方面披露氟化氬光刻機和氟化氪光刻機，兩者均屬于DUV光刻機，氟化氬（ArF）光刻機參數為分辨率≤65nm、套刻≤8nm；氟化氪（KrF）參數為分辨率≤ 110nm 、套刻≤ 25nm 。其中， 65nm ArF 光刻機指標與ASML1460K/Nikon S322F 接近。根據華瑞博遠統(tǒng)計，ASML1460K ArF 光刻機，波長為193nm，分辨率≤65nm、套刻精度為3.5/5.0nm，產量≥205wph；NikonS322F ArF 光刻機，波長為193nm（134nm），分辨率≤65nm、套刻精度為2.0/5.0nm，產量≥230wph。根據光刻人筆記信息，65nm 工藝的主要特點包括足夠成熟、足夠先進（相對于90nm）、良率高、產量大以及設計平臺的成熟可靠。與前一代90nm 制程相比，65nm 制程的標準元件密度增加兩倍，具備更高的整合性和更好的性能。此外，65nm 工藝還廣泛應用于射頻器件（RF-SOI）的生產中，并已實現量產。

套刻精度為前后圖案層對齊精度，工藝節(jié)點越小對套刻精度要求越高。套刻精度（overlay），指前一個圖案層與后一個圖案層之間的對齊精度。由于一個器件可能需要經過多次光刻步驟來完成不同層，因此每一層圖案都需要與先前層精確對齊。細微的偏移可能會導致電路性能降低，良率下降，甚至芯片完全失效。

兩層之間圖案的實際相對位置與期望相對位置之間的偏差，叫套刻準容差。套刻容差越大，實際生產中的套準誤差越大，同一個器件，需要的面積也就越大，會產生許多問題。隨著特征尺寸的減小，允許的絕對套準誤差變得更小。而隨著特征尺寸的降低，芯片的層數一般會持續(xù)增加，套準誤差可能會在多個層級中累積。

這些誤差可以疊加起來，導致更大的綜合偏差。套刻精度分為OPO（產品本身的套刻精度）、DCO（同一臺設備自身套自身的精度），MMO（不同設備之間的套刻精度），如ASML 的NXT 1980Di，OPO≤3.5nm，DCO≤1.6nm，MMO≤2.5nm。根據電子工程世界披露，1980Di 是ASML 現有效率較低光刻機，支持NA1.35 光學器件、分辨率<38nm，理論上可以支持7nm 工藝，大多數晶圓廠使用1980Di 光刻機，主要生產14nm 及以上工藝芯片。

投資建議：光刻機技術是半導體工藝中的關鍵，決定了芯片晶體管尺寸大小，直接影響芯片性能和功耗。自美國對中國半導體制裁起，光刻機對國內半導體行業(yè)發(fā)展及集成電路產業(yè)鏈自主可控重要性日益凸顯。建議關注光刻機產業(yè)鏈“卡脖子”環(huán)節(jié)中技術積累較深或直接/間接進入ASML/上海微電子等供應鏈環(huán)節(jié)廠 商。如芯碁微裝（直寫光刻）、富創(chuàng)精密（零部件）、炬光科技（光學器件）、賽微電子（物鏡）、波長光電（光源）、奧普光電（整機）、騰景科技（光學器件）、福晶科技（光源）、茂萊光學（光源）、電科數字（計算/控制模塊）、新萊應材（零部件）、美?？萍?藍英裝備（潔凈設備）、同飛股份/海立股份（溫控）、東方嘉盛（服務）、上海微電子（整機，未上市）、華卓精科（工件臺，未上市）。

風險提示：技術研發(fā)風險；宏觀經濟和行業(yè)波動風險；國際貿易摩擦風險。

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轉自華金證券股份有限公司 研究員：孫遠峰/王海維