集成電路行業(yè)快報(bào)：COWOS或迎量／價(jià)／需三振 L路線有望為主流

投資要點(diǎn)

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體《自由財(cái)經(jīng)》報(bào)道，自2025 年1 月起，臺(tái)積電將對(duì)其3nm、5nm及CoWoS 工藝的代工價(jià)格進(jìn)行上調(diào)，預(yù)計(jì)漲幅將在5%到20%之間。

 CoWoS 或迎來(lái)量/價(jià)/需求齊升，CoWoS-S 轉(zhuǎn)向CoWoS-L 趨勢(shì)明顯。（1）量：

根據(jù)DIGITIMES Research 數(shù)據(jù)，受云端AI 加速器需求旺盛推動(dòng)，2025 年全球?qū)oWoS 及類似封裝產(chǎn)能的需求或?qū)⒃鲩L(zhǎng)113%。主要供應(yīng)商臺(tái)積電、日月光科技控股（包括矽品精密工業(yè)、SPIL）和安靠正在擴(kuò)大產(chǎn)能。根據(jù)DIGITIMESResearch 報(bào)告，到2025 年第四季度末，臺(tái)積電的月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增至6.5 萬(wàn)片以上12 英寸晶圓當(dāng)量，而安靠和日月光合用產(chǎn)能將增至1.7 萬(wàn)片晶圓；英偉達(dá)是臺(tái)積電CoWoS 封裝工藝最大客戶，受惠于英偉達(dá)Blackwell 系列GPU 量產(chǎn)，臺(tái)積電將從2025 年第四季開(kāi)始由CoWoS-S 轉(zhuǎn)為CoWoS-L 制程，使CoWoS-L成為臺(tái)積電CoWoS 技術(shù)的主要制程；英偉達(dá)對(duì)CoWoS-L 工藝需求可能會(huì)從2024 年的3.2 萬(wàn)片晶圓大幅增加至2025 年的38 萬(wàn)片晶圓，同比增長(zhǎng)1018%。

根據(jù)DIGITIMES Research 預(yù)計(jì)，2025 年第四季CoWoS-L 將占臺(tái)積電CoWoS總產(chǎn)能的54.6%，CoWoS-S 為38.5%，CoWoS-R 則為6.9%。（2）價(jià)：根據(jù)半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng)數(shù)據(jù)，臺(tái)積電3nm 和5nm 制程技術(shù)的價(jià)格將上升5%到10%，CoWoS 工藝將漲價(jià)15%到20%（供不應(yīng)求），這一調(diào)整既源于AI 領(lǐng)域?qū)τ?jì)算能力的需求激增，也顯示了制程技術(shù)成本的不斷上升。（3）需求：根據(jù)半導(dǎo)體縱橫數(shù)據(jù)，英偉達(dá)占CoWoS 整體供應(yīng)量比重超過(guò)50%，A100、H100 及BlackwellUltra 等產(chǎn)品均會(huì)采用CoWoS 封裝，2025 年英偉達(dá)將會(huì)推廣采用CoWoS-L 技術(shù)的B300 和GB300 系列。AMD 的MI300 采用臺(tái)積電SoIC（3D）和CoWoS（2.5D）兩種封裝技術(shù)。此外，博通、微軟、亞馬遜、谷歌對(duì)于CoWoS 也存有一定需求。

CoWoS-L 確保良好的系統(tǒng)性能同時(shí)避免大型硅中介層良率損失。CoWoS-L 中介層包括多個(gè)本地硅互連（LSI） 芯片和全域再分布層（RDL），形成一個(gè)重組中介層（RI），以取代CoWoS-S 中的單片硅中介層。LSI Chiplet 與CoWoS-S相比保留了亞微米級(jí)銅互連、硅通孔（TSV） 和嵌入式深溝電容器（eDTC），以確保良好系統(tǒng)性能，同時(shí)避免大型硅中介層良率損失問(wèn)題。此外，在RI 中引入穿絕緣體通孔（TIV）作為垂直互連，以提供比TSV 更低的插入損耗路徑。

CoWoS-L 目前已成功實(shí)現(xiàn)采用3 倍掩模尺寸（約2500 平方毫米）的插接器，搭載多個(gè)SoC/芯片模組和8 個(gè)HBM 方案。LSI 制造有兩種路線，LSI-1 和LSI-2，主要區(qū)別在于互連金屬方案：1）在制造LSI-1 時(shí)，首先在300 毫米硅芯片上制造TSV 和一層單大馬士革銅金屬(M1)。然后，用未摻雜硅酸鹽玻璃（USG）作為介電層的雙大馬士革銅形成互連結(jié)構(gòu)。在LSI-1 金屬方案中，雙大馬士革銅工藝提供的最小金屬寬度/空間為0.8/0.8μm，厚度為2μm。2）LSI-2具有相同的TSV 結(jié)構(gòu)和M1 金屬方案。制造出M1 層后，通過(guò)半新增工藝（SAP），以聚酰亞胺（PI） 為介質(zhì)層的銅RDL 形成互連結(jié)構(gòu)。SAP 銅RDL的最小寬度/空間為2/2μm，厚度為2.3μm。

投資建議：ChatGPT 依賴大模型、大數(shù)據(jù)、大算力支撐，其出現(xiàn)標(biāo)志著通用人工智能的起點(diǎn)及強(qiáng)人工智能的拐點(diǎn)，未來(lái)算力將引領(lǐng)下一場(chǎng)數(shù)字革命，xPU 等高端芯片需求持續(xù)增長(zhǎng)。先進(jìn)封裝為延續(xù)摩爾定理提升芯片性能及集成度提供技術(shù)支持，隨著Chiplet 封裝概念持續(xù)推進(jìn)，先進(jìn)封裝各產(chǎn)業(yè)鏈（封測(cè)/設(shè)備/材料/IP等）將持續(xù)受益。建議關(guān)注：封測(cè)：通富微電、長(zhǎng)電科技、華天科技、甬矽電子、偉測(cè)科技；設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技、中科飛測(cè)、華海清科、華封科技（未上市）；材料：華海誠(chéng)科、鼎龍股份、深南電路、興森科技、艾森股份、上海新陽(yáng)、聯(lián)瑞新材、飛凱材料；EDA：華大九天、廣立微、概倫電子；IP：芯原股份。

風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求復(fù)蘇低于預(yù)期；先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期；人工智能發(fā)展不及預(yù)期；系統(tǒng)性風(fēng)險(xiǎn)。

知前沿，問(wèn)智研。智研咨詢是中國(guó)一流產(chǎn)業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)，十?dāng)?shù)年持續(xù)深耕產(chǎn)業(yè)研究領(lǐng)域，提供深度產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、商業(yè)計(jì)劃書、可行性研究報(bào)告及定制服務(wù)等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)。專業(yè)的角度、品質(zhì)化的服務(wù)、敏銳的市場(chǎng)洞察力，專注于提供完善的產(chǎn)業(yè)解決方案，為您的投資決策賦能。

轉(zhuǎn)自華金證券股份有限公司 研究員：孫遠(yuǎn)峰/王海維