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韓國(guó)三星電子與臺(tái)積電再掀晶圓代工工藝之爭(zhēng)

     中國(guó)臺(tái)灣晶圓代工廠商臺(tái)積電繼三星電子后也宣布6nm半導(dǎo)體制程量產(chǎn),兩家晶圓代工廠商再次打響工藝之爭(zhēng)。

 

    三星電子上月宣布其位于華城的多層極紫外光刻(EUV)半導(dǎo)體生產(chǎn)線V1已開(kāi)始批量生產(chǎn)。V1生產(chǎn)線目前正采用7nm和6nm工藝技術(shù)。據(jù)中國(guó)IT媒體透露,華為面向中端5G市場(chǎng)的移動(dòng)設(shè)備處理器麒麟820將交由三星電子6nm生產(chǎn)線代工,并計(jì)劃在2020年下半年完成4nm工藝開(kāi)發(fā)及產(chǎn)品設(shè)計(jì)。另?yè)?jù)美國(guó)IT媒體AnandTech報(bào)道,中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)公司紫光展銳近期推出了面向5G智能手機(jī)的T7520八核系統(tǒng)芯片(SoC),該芯片集成5G調(diào)制解調(diào)器,將使用臺(tái)積電6nmEUV工藝制程,預(yù)計(jì)將于今年開(kāi)始出貨。

    據(jù)悉,三星電子已領(lǐng)先臺(tái)積電成功開(kāi)發(fā)了業(yè)界首個(gè)3nm制程工藝,預(yù)計(jì)將于2022年開(kāi)啟大規(guī)模量產(chǎn)。目前三星電子已經(jīng)成功攻克了3nm工藝所使用的GAA(Gate-All-Around,環(huán)繞式柵極技術(shù))工藝技術(shù),而臺(tái)積電在近期公布了將投資150億美元用于研發(fā)3nm工藝。

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2025-2031年中國(guó)晶圓代工行業(yè)市場(chǎng)調(diào)研分析及發(fā)展規(guī)模預(yù)測(cè)報(bào)告
2025-2031年中國(guó)晶圓代工行業(yè)市場(chǎng)調(diào)研分析及發(fā)展規(guī)模預(yù)測(cè)報(bào)告

《2025-2031年中國(guó)晶圓代工行業(yè)市場(chǎng)調(diào)研分析及發(fā)展規(guī)模預(yù)測(cè)報(bào)告》共十六章,包含晶圓代工行業(yè)成長(zhǎng)能力及穩(wěn)定性分析,晶圓代工行業(yè)投資機(jī)會(huì)分析研究,晶圓代工產(chǎn)業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)等內(nèi)容。

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