北方華創(chuàng)：競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)持續(xù)增強(qiáng) 收入及盈利能力穩(wěn)步增長(zhǎng)

    公司發(fā)布2019 年業(yè)績(jī)快報(bào)，報(bào)告期內(nèi)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入40.58 億元，同比增長(zhǎng)22.10%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)3.09 億元，同比增長(zhǎng)32.34%。

    評(píng)論：

    集成電路工藝裝備及電子元器件業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)良好發(fā)展，收入及盈利能力穩(wěn)步增長(zhǎng)。公司高端集成電路工藝設(shè)備研發(fā)取得突破性進(jìn)展，多款新產(chǎn)品相繼推向市場(chǎng)，持續(xù)獲得行業(yè)大客戶采購(gòu)訂單；精密電子元器件新產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)發(fā)力，市場(chǎng)占有率穩(wěn)步提升。公司持續(xù)進(jìn)行技術(shù)及產(chǎn)品創(chuàng)新，積極開(kāi)拓市場(chǎng)，成效顯著，競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步增強(qiáng)，疊加國(guó)內(nèi)晶圓、存儲(chǔ)廠密集擴(kuò)產(chǎn)，公司全年業(yè)務(wù)發(fā)展良好。

    報(bào)告期內(nèi)，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入40.58 億元，同比增長(zhǎng)22.10%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)3.09 億元，同比增長(zhǎng)32.34%，19Q4 實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入13.21 億元，同比/環(huán)比分別增長(zhǎng)8.07%和22.09%，營(yíng)收逐季提升，19Q4 實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)0.90 億元，同比提升37.78%，環(huán)比略有下滑。公司成本費(fèi)用得到有效控制，全年凈利率同比上提0.59pct 至7.62%。

    戰(zhàn)略項(xiàng)目前瞻性布局，股權(quán)激勵(lì)彰顯信心，公司發(fā)展動(dòng)力十足。年內(nèi)公司通過(guò)非公開(kāi)發(fā)行融資20 億元，啟動(dòng)高端集成電路裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目和高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，計(jì)劃在28nm 設(shè)備基礎(chǔ)上進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)14nm設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化，投入刻蝕機(jī)、PVD、ALD、退火設(shè)備、立式爐及清洗機(jī)的產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，并針對(duì)刻蝕機(jī)、PVD、立式爐、清洗機(jī)進(jìn)行關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)投入，開(kāi)展5/7nm 設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。此外，今年初，公司股權(quán)激勵(lì)正式落地，核心員工利益與公司利益深度綁定，業(yè)績(jī)考核目標(biāo)明確，彰顯對(duì)未來(lái)經(jīng)營(yíng)的強(qiáng)大信心，公司發(fā)展?jié)摿τ型M(jìn)一步釋放。

    產(chǎn)業(yè)周期疊加競(jìng)爭(zhēng)力持續(xù)增強(qiáng)，市占率有望進(jìn)一步提升。2019 下半年以來(lái)，國(guó)內(nèi)晶圓及存儲(chǔ)廠投產(chǎn)進(jìn)度明顯加快，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、武漢新芯二期、粵芯半導(dǎo)體、燕東微電子、華虹無(wú)錫、時(shí)代芯存等一批產(chǎn)線正式投產(chǎn)，意味著本土廠商技術(shù)成熟度及量產(chǎn)穩(wěn)定性逐步提升，有望進(jìn)一步拉動(dòng)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。公司刻蝕機(jī)、PVD、退火、氧化爐等半導(dǎo)體工藝設(shè)備陸續(xù)批量進(jìn)入國(guó)內(nèi)8 寸和12 寸集成電路存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片及特色芯片生產(chǎn)線，部分產(chǎn)品進(jìn)入國(guó)際一流芯片產(chǎn)線及先進(jìn)封裝線。去年11 月，ICRD 采用公司NMC612D 電感耦合等離子體（ICP）刻蝕機(jī)等國(guó)產(chǎn)設(shè)備完成了14nmFinFETSADP 相關(guān)工藝的自主開(kāi)發(fā)，各項(xiàng)工藝指標(biāo)均達(dá)到量產(chǎn)要求。公司產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力持續(xù)增強(qiáng)，有望受益半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程市占率穩(wěn)步提升。