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海特高新:第三代半導(dǎo)體國際領(lǐng)先者 氮化鎵芯片空間大

    海特高新:國際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體制造企業(yè),實現(xiàn)核心高端芯片自主可控公司主營航空高端裝備研發(fā)制造及維修、第二代/第三代化合物半導(dǎo)體;公司為國際領(lǐng)先的高性能集成電路制造企業(yè),解決了中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中制造環(huán)節(jié)的瓶頸,實現(xiàn)了核心高端芯片自主可控及國產(chǎn)化替代。

    子公司海威華芯在中國率先提供六英吋砷化鎵(GaAs)集成電路的純晶圓代工(Foundry)服務(wù);在第三代半導(dǎo)體(氮化鎵GaN)領(lǐng)域擁有國際領(lǐng)先、國內(nèi)一流的技術(shù);在全球氮化鎵芯片專利技術(shù)屬于一流梯隊,公司專利總共249 項,其中過半數(shù)是發(fā)明專利??杀裙緸槿补怆姟⑴_灣穩(wěn)懋。

    氮化鎵:未來之星,年均增21%;2020 年有望成國內(nèi)“氮化鎵應(yīng)用元年”

    第二代半導(dǎo)體:2020 年全球GaAs 微波通信器件規(guī)模將超130 億美元。第三代半導(dǎo)體:根據(jù)Yole 測算,GaN 射頻市場將從2018 年的6.45 億美元增長到2024 年約20 億美元,年均復(fù)合增速達21%;主要受益于電信基礎(chǔ)設(shè)施5G 宏基站建設(shè)、國防、快充、汽車電子、消費電子等應(yīng)用推動。

    小米公司宣布使用GaN 快充, GaN 功率器件有望在筆記本電腦、手機快充加速普及。華為、蘋果、三星、OPPO、康佳等在GaN 技術(shù)上有較多積累。華為5G 宏基站PA 訂單明顯增長; GaN工藝有望應(yīng)用于5G 宏基站。

    芯片業(yè)務(wù):訂單突破億元級別;科裝業(yè)務(wù)占比過半;為未來最大增長亮點公司第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用于5G 移動通信、AI 人工智能、雷達、汽車電子、電力電子、光纖通訊、3D 感知、新能源、國防軍工等領(lǐng)域。公司在5G宏基站射頻GaN 產(chǎn)品上取得重大突破;硅基氮化鎵功率器件芯片已實現(xiàn)小批量量產(chǎn),是國內(nèi)領(lǐng)先進行硅基氮化鎵量產(chǎn)的企業(yè)。

    2019 年海威華芯訂單量突破億級。2019 年上半年芯片業(yè)務(wù)收入0.25 億元,同比大增303%;收入占比達7%。公司發(fā)展過程為先專用后民用,2019 年科裝產(chǎn)品業(yè)務(wù)占比超50%,毛利率遠高于民品。芯片業(yè)務(wù)已拓展了一百多個客戶,已取得18 個科裝產(chǎn)品的定向項目,排名靠前,預(yù)計將在2年內(nèi)全部實現(xiàn)量產(chǎn)。2020 年1 月科裝產(chǎn)品拿到全年指定任務(wù)20%的訂單。

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