氮化鎵單晶襯底

趨勢(shì)研判！2026年中國(guó)氮化鎵單晶襯底?行業(yè)政策、產(chǎn)業(yè)鏈圖譜、運(yùn)行現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析：技術(shù)路線多元突破，產(chǎn)業(yè)生態(tài)加速成形[圖]

氮化鎵單晶襯底是通過(guò)同質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)制備的獨(dú)立氮化鎵晶體材料，無(wú)需依賴藍(lán)寶石、碳化硅等異質(zhì)襯底支撐。其核心特性在于低缺陷密度、高熱導(dǎo)率和高擊穿電壓，是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表。作為外延GaN的理想基底，其晶格匹配度接近100%，可顯著提升器件性能，尤其適用于高壓、高頻、大功率場(chǎng)景。