摘要：隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和云計(jì)算的發(fā)展，光芯片作為實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互聯(lián)及連接的核心器件，需求不斷攀升。隨著網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)的發(fā)展所需光芯片數(shù)量成倍增加，且向高速率芯片轉(zhuǎn)移。目前中國(guó)光芯片行業(yè)高端光芯片國(guó)產(chǎn)替代率仍較低國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)僅在2.5G和10G光芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)核心技術(shù)的掌握。2015年，我國(guó)光芯片市場(chǎng)規(guī)模僅為5.56億美元，此后受益于互聯(lián)網(wǎng)快速發(fā)展帶來(lái)的大量新型基礎(chǔ)設(shè)施需求，光通信市場(chǎng)帶動(dòng)光芯片市場(chǎng)加速發(fā)展，至2023年我國(guó)光芯片市場(chǎng)規(guī)模已上升至19.74億美元，過(guò)去九年CAGR為13.16%。未來(lái)幾年5G設(shè)備升級(jí)和相關(guān)應(yīng)用落地將會(huì)持續(xù)進(jìn)行，同時(shí)大量數(shù)據(jù)中心設(shè)備更新和新數(shù)據(jù)中心落地也會(huì)持續(xù)助力光芯片市場(chǎng)規(guī)模的增長(zhǎng)。

一、定義及分類

光芯片是實(shí)現(xiàn)光轉(zhuǎn)電、電轉(zhuǎn)光、分路、衰減、合分波等基礎(chǔ)光通信功能的芯片，是光器件和光模塊的核心。光芯片的原理是基于光子學(xué)原理，即利用光的波動(dòng)性和粒子性來(lái)傳輸和處理信息。光芯片的工作過(guò)程可簡(jiǎn)單分為三個(gè)步驟：光發(fā)射、光傳輸和光檢測(cè)。首先，激光器將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，其次，光波導(dǎo)將光信號(hào)在芯片內(nèi)傳輸；最后，光探測(cè)器將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。光芯片通過(guò)加工封裝為光發(fā)射組件（TOSA）及光接收組件（ROSA），再將光收發(fā)組件、電芯片、結(jié)構(gòu)件等進(jìn)一步加工成光模塊。光芯片的性能直接決定光模塊的傳輸速率。

光芯片細(xì)分品類多，廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。光芯片主要分為有源光器件芯片和無(wú)源光器件芯片。有源光芯片包括激光器芯片和探測(cè)器芯片，而無(wú)源光芯片則包括PLC和AWG芯片。激光器芯片和探測(cè)器芯片分別用于將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)和將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。激光器芯片可以進(jìn)一步分為邊發(fā)射激光器芯片(EEL)和面發(fā)射激光器芯片(VCSEL)。探測(cè)器芯片使用最廣泛的是PIN光電二極管(PIN-PD)和APD(雪崩光電二極管)。

二、發(fā)展歷程

中國(guó)光芯片行業(yè)始于20世紀(jì)80年代末至90年代初的起步階段，經(jīng)歷了初步發(fā)展、快速增長(zhǎng)、技術(shù)突破和國(guó)際合作等階段，近年來(lái)逐步走向國(guó)際化舞臺(tái)。隨著政策支持和市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，中國(guó)光芯片行業(yè)正邁向更廣闊的未來(lái)，將繼續(xù)在全球光通信和高科技領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

三、行業(yè)政策

光芯片目前已廣泛應(yīng)用于通信、工業(yè)、消費(fèi)、照明等領(lǐng)域，下游市場(chǎng)不斷拓展。受益于信息應(yīng)用流量需求的增長(zhǎng)和光通信技術(shù)的升級(jí)，光模塊作為光通信產(chǎn)業(yè)鏈最為重要的器件保持持續(xù)增長(zhǎng)，光芯片作為光模塊核心元件有望持續(xù)受益。國(guó)家及各地方政府相繼出臺(tái)政策扶持中國(guó)光芯片行業(yè)的發(fā)展，例如2024年3月發(fā)布的《關(guān)于印發(fā)河南省加快制造業(yè)“六新”突破實(shí)施方案的通知》中指出：開(kāi)展千公里級(jí)激光雷達(dá)、星間骨干網(wǎng)激光通信等關(guān)鍵部組件研發(fā)。帶動(dòng)光通信行業(yè)的同時(shí)也扶持光芯片行業(yè)的發(fā)展。

四、行業(yè)壁壘

1、生產(chǎn)工藝和流程較為復(fù)雜，投入極高同時(shí)回報(bào)偏慢

一枚光芯片的出產(chǎn)需要經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)、流片、技術(shù)驗(yàn)證、定型、量產(chǎn)等數(shù)個(gè)環(huán)節(jié)，在工藝和流程均成熟的情況下，整體需要1-2年的時(shí)間，而進(jìn)入量產(chǎn)階段后還需要工藝經(jīng)驗(yàn)的積累來(lái)解決散熱、封裝和穩(wěn)定性等多重技術(shù)難題，從而有效提升良品率。整體的回報(bào)時(shí)長(zhǎng)被進(jìn)一步拉長(zhǎng)。

2、光刻機(jī)嚴(yán)重依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)化水平明顯不足

在芯片生產(chǎn)中，光刻機(jī)是生產(chǎn)芯片最為核心的設(shè)備，其功能主要為將掩膜版上的芯片電路轉(zhuǎn)移到硅片上。：由于光刻機(jī)設(shè)備對(duì)光學(xué)技術(shù)和供應(yīng)鏈要求嚴(yán)苛，形成了極高技術(shù)壁壘，致使其成為高度壟斷行業(yè)。荷蘭ASML是全球唯一一家生產(chǎn)高精度光刻機(jī)的公司，旗下產(chǎn)品覆蓋全部級(jí)別光刻機(jī)設(shè)備，其中高端領(lǐng)域形成絕對(duì)壟斷。除此之外，中低端領(lǐng)域由尼康和佳能兩大龍頭主導(dǎo)，與ASML共同占據(jù)整個(gè)市場(chǎng)份額的90%以上。當(dāng)前美國(guó)禁止所有半導(dǎo)體企業(yè)在未經(jīng)審核的情況下向中國(guó)供應(yīng)半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)，這進(jìn)一步促進(jìn)了光刻機(jī)領(lǐng)域高生態(tài)壁壘的形成，不利于中國(guó)光芯片的研發(fā)及生產(chǎn)。

3、技術(shù)不成熟，較國(guó)外具有較大差距

主要指InP/GaAs等材料經(jīng)提純、拉晶、切割、拋光、研磨制成單晶體襯底即基板，這是光芯片規(guī)模制造的第一個(gè)重要環(huán)節(jié)。基板制造的技術(shù)關(guān)鍵是提純，當(dāng)前能實(shí)現(xiàn)高純度單晶體襯底批量生產(chǎn)的全球僅有幾家企業(yè)，均為海外企業(yè)。根據(jù)設(shè)計(jì)需求，生產(chǎn)企業(yè)用基板和有機(jī)金屬氣體在MOCVD/MBE設(shè)備里長(zhǎng)晶，制成外延片。外延片是決定光芯片性能的關(guān)鍵一環(huán)，生成條件較為嚴(yán)苛，因此是光芯片行業(yè)技術(shù)壁壘最高環(huán)節(jié)。成熟技術(shù)工藝主要集中于中國(guó)臺(tái)灣以及美日企業(yè)，國(guó)內(nèi)企業(yè)量產(chǎn)能力相對(duì)有限。

五、產(chǎn)業(yè)鏈

中國(guó)光芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游包括磷化銦襯底材料、砷化鎵襯底材料、工業(yè)氣體、封裝材料、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等；中游為光芯片，可分為有源光器件芯片及無(wú)源光器件芯片；下游應(yīng)用光通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)制造、醫(yī)療等領(lǐng)域。

光芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

磷化銦襯底材料

北京通美晶體技術(shù)股份有限公司

云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

廣東先導(dǎo)先進(jìn)材料股份有限公司

蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司

三安光電股份有限公司

砷化鎵襯底材料

臺(tái)灣英特磊科技股份有限公司

中科晶電信息材料(北京)有限公司

天津晶明電子材料有限責(zé)任公司

北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司

工業(yè)氣體

林德集團(tuán)

液化空氣（中國(guó)）投資有限公司

氣體動(dòng)力科技有限公司

封裝材料

上海飛凱材料科技股份有限公司

宏昌電子材料股份有限公司

潮州三環(huán)（集團(tuán)）股份有限公司

寧波康強(qiáng)電子股份有限公司

深圳市興森快捷電路科技股份有限公司

深南電路股份有限公司

長(zhǎng)沙岱勒新材料科技股份有限公司

珠海越亞半導(dǎo)體股份有限公司

上游

蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司

武漢銳晶激光芯片技術(shù)有限公司

陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司

武漢光迅科技股份有限公司

中游

光通信

消費(fèi)電子

汽車電子

工業(yè)制造

下游

六、行業(yè)現(xiàn)狀

隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和云計(jì)算的發(fā)展，光芯片作為實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互聯(lián)及連接的核心器件，需求不斷攀升。隨著網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)的發(fā)展所需光芯片數(shù)量成倍增加，且向高速率芯片轉(zhuǎn)移。目前中國(guó)光芯片行業(yè)高端光芯片國(guó)產(chǎn)替代率仍較低國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)僅在2.5G和10G光芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)核心技術(shù)的掌握。2015年，我國(guó)光芯片市場(chǎng)規(guī)模僅為5.56億美元，此后受益于互聯(lián)網(wǎng)快速發(fā)展帶來(lái)的大量新型基礎(chǔ)設(shè)施需求，光通信市場(chǎng)帶動(dòng)光芯片市場(chǎng)加速發(fā)展，至2023年我國(guó)光芯片市場(chǎng)規(guī)模已上升至19.74億美元，過(guò)去九年CAGR為13.16%。未來(lái)幾年5G設(shè)備升級(jí)和相關(guān)應(yīng)用落地將會(huì)持續(xù)進(jìn)行，同時(shí)大量數(shù)據(jù)中心設(shè)備更新和新數(shù)據(jù)中心落地也會(huì)持續(xù)助力光芯片市場(chǎng)規(guī)模的增長(zhǎng)。

七、發(fā)展因素

1、有利因素

（1）受益于光模塊市場(chǎng)的加速擴(kuò)張

光芯片分為有源和無(wú)源光芯片兩大類，據(jù)統(tǒng)計(jì)，有源的光模塊芯片市場(chǎng)在整體光芯片市場(chǎng)中占據(jù)絕大比例。作為光模塊的核心，光芯片市場(chǎng)將在較大程度上受光模塊市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)。光模塊是構(gòu)建我國(guó)現(xiàn)代高速信息網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵設(shè)備，是國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)產(chǎn)品，這也使得中國(guó)光模塊市場(chǎng)保持快速增長(zhǎng)勢(shì)頭。隨著我國(guó)光模塊企業(yè)技術(shù)水平的提升以及更大的研發(fā)投入，中國(guó)光模塊廠商將在未來(lái)逐步引領(lǐng)市場(chǎng)，再加上5G和數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)擴(kuò)大，這為中國(guó)光模塊市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)更高速增長(zhǎng)注入動(dòng)力，

（2）數(shù)據(jù)中心擴(kuò)容升級(jí)助力光模塊及光芯片需求不斷增大

數(shù)據(jù)流量增長(zhǎng)是光模塊以及光芯片增長(zhǎng)的核心動(dòng)力。隨著云服務(wù)、5G商用、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)等場(chǎng)景的發(fā)展及疫情催化，全球數(shù)據(jù)流量出現(xiàn)了爆發(fā)式增長(zhǎng)。當(dāng)前市場(chǎng)在巨頭激烈競(jìng)爭(zhēng)的格局下，超大型數(shù)據(jù)中心容量不斷提升，這為購(gòu)置更多高速光芯片和替換升級(jí)舊光芯片奠定基礎(chǔ)。國(guó)內(nèi)數(shù)據(jù)中心機(jī)架數(shù)量持續(xù)增長(zhǎng)，市場(chǎng)規(guī)模加速擴(kuò)大，將有力拉動(dòng)光模塊以及光芯片的需求增長(zhǎng)。

（3）硅光模塊市場(chǎng)后續(xù)增長(zhǎng)將有效助力硅光芯片需求增長(zhǎng)

傳統(tǒng)光模塊一般采用III-V族半導(dǎo)體芯片、高速電路硅芯片、光學(xué)組件等器件封裝而成，本質(zhì)上屬于“電互聯(lián)”。隨著晶體管加工尺寸的持續(xù)縮小，電互聯(lián)會(huì)逐漸面臨傳輸瓶頸，硅光技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。硅光芯片內(nèi)的功能部件主要通過(guò)光子介質(zhì)傳輸信息，連接速度更快，因此更適合數(shù)據(jù)中心和中長(zhǎng)距離相干通信等應(yīng)用場(chǎng)景。硅光技術(shù)能有效降低成本并控制能耗。傳統(tǒng)光模塊采用分立式結(jié)構(gòu)，光器件部件多，封裝工序復(fù)雜且需要較多人工成本。而硅光模塊將多路激光器，調(diào)制器和多路探測(cè)器等光芯片都集成在硅光芯片上，體積大幅減小，有效降低材料成本、芯片成本、封裝成本，同時(shí)也能有效控制功耗。

2、不利因素

（1）技術(shù)門檻高與研發(fā)投入不足

光芯片行業(yè)技術(shù)壁壘較高，生產(chǎn)工藝和流程復(fù)雜，特別是外延生長(zhǎng)環(huán)節(jié)是技術(shù)壁壘最高的環(huán)節(jié)。國(guó)內(nèi)企業(yè)在高端光芯片領(lǐng)域與國(guó)際領(lǐng)先水平存在一定差距，且研發(fā)投入相對(duì)不足，導(dǎo)致在核心技術(shù)上難以突破。

（2）對(duì)外依賴度高

盡管中國(guó)在低速光芯片領(lǐng)域取得了一定進(jìn)展，但在高速光芯片領(lǐng)域，特別是25G及以上速率的光芯片嚴(yán)重依賴進(jìn)口。國(guó)內(nèi)能夠量產(chǎn)的高速率激光器芯片的廠商較少，許多關(guān)鍵技術(shù)和高端產(chǎn)品仍需向國(guó)際外延廠進(jìn)行采購(gòu)，這限制了國(guó)內(nèi)光芯片行業(yè)的自主可控能力。

（3）產(chǎn)業(yè)集中度不高與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)壓力大

中國(guó)光芯片產(chǎn)業(yè)集中度相對(duì)較低，存在眾多中小企業(yè)，這些企業(yè)普遍規(guī)模較小，自主研發(fā)能力較弱，產(chǎn)品同質(zhì)化嚴(yán)重。同時(shí)，國(guó)際市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)也非常激烈，國(guó)外寡頭企業(yè)占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)并把控產(chǎn)業(yè)鏈高端，擠壓國(guó)內(nèi)廠商市場(chǎng)空間。

八、競(jìng)爭(zhēng)格局

隨著光通信市場(chǎng)需求的持續(xù)擴(kuò)大，再加上光通信領(lǐng)域中的器件、芯片、模塊等技術(shù)壁壘高、生產(chǎn)工藝復(fù)雜的特征，產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的互聯(lián)互通程度逐步加深，龍頭企業(yè)垂直整合進(jìn)程不斷加快，產(chǎn)業(yè)鏈的交互融合也使得光芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局與光器件和光模塊市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局基本保持一致。國(guó)產(chǎn)光芯片行業(yè)同時(shí)面臨低端產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)激烈，高端產(chǎn)品突破困難的國(guó)產(chǎn)替代挑戰(zhàn)。光芯片行業(yè)具有較高的準(zhǔn)入門檻。特別是采用IDM模式的企業(yè)，光芯片產(chǎn)品設(shè)計(jì)、良率的提升需要較長(zhǎng)周期。光芯片導(dǎo)入下游光器件和模塊，需要經(jīng)過(guò)性能測(cè)試、可靠性測(cè)試等過(guò)程。目前行業(yè)中主要企業(yè)為陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司、蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司、武漢光迅科技股份有限公司、武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司等。

源杰科技經(jīng)過(guò)多年研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化積累，公司已建立了包含芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、芯片加工和測(cè)試的

IDM全流程業(yè)務(wù)體系，擁有多條覆蓋MOCVD外延生長(zhǎng)、光柵工藝、光波導(dǎo)制作、金屬化工藝、端

面鍍膜、自動(dòng)化芯片測(cè)試、芯片高頻測(cè)試、可靠性測(cè)試驗(yàn)證等全流程自主可控的生產(chǎn)線，公司逐步發(fā)展為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的光芯片供應(yīng)商。公司將繼續(xù)深耕光芯片行業(yè)，致力成為國(guó)際一流光電半導(dǎo)體

芯片和技術(shù)服務(wù)供應(yīng)商。2023年源杰科技由于電信市場(chǎng)類業(yè)務(wù)及數(shù)據(jù)中心類業(yè)務(wù)不達(dá)預(yù)期，導(dǎo)致收入有所下降，2023年公司收入為1.44億元。

九、發(fā)展趨勢(shì)

隨著傳統(tǒng)乘用車的電動(dòng)化、智能化發(fā)展，高級(jí)別的輔助駕駛技術(shù)逐步普及，核心傳感器件激光雷達(dá)的應(yīng)用規(guī)模將會(huì)增大?；谏榛墸℅aAs）和磷化銦（InP）的光芯片作為激光雷達(dá)的核心部件，其未來(lái)的市場(chǎng)需求將會(huì)不斷增加。下一代數(shù)據(jù)中心應(yīng)用400G/800G傳輸速率方案，傳統(tǒng)DFB激光器芯片短期內(nèi)無(wú)法同時(shí)滿足高帶寬性能、高良率的要求，需考慮采用EML激光器芯片以實(shí)現(xiàn)單波長(zhǎng)100G的高速傳輸特性。

在硅光方案中，激光器芯片作為外置光源，而硅基芯片承擔(dān)了速率調(diào)制功能。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，需要將激光器芯片發(fā)射的光源耦合至硅基材料中。硅基材料憑借其高度集成的制程優(yōu)勢(shì)，能夠整合調(diào)制器和無(wú)源光路，實(shí)現(xiàn)調(diào)制功能與光路傳導(dǎo)功能的集成。在400G光模塊中，利用硅光技術(shù)將大功率激光器芯片的光源分為4路光路，每一路通過(guò)硅基調(diào)制器與無(wú)源光路波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)100G的調(diào)制速率，從而實(shí)現(xiàn)整體的400G傳輸速率。這要求激光器芯片具備大功率、高耦合效率、寬工作溫度等性能指標(biāo)。