晶圓制造指的是根據(jù)設(shè)計(jì)出的電路板圖,通過爐管、濕刻、淀積、光刻、干刻、注入、退火等不同工藝流程在半導(dǎo)體晶圓基板上形成元器件和互聯(lián)線,最終輸出整片已經(jīng)完成功能及性能實(shí)現(xiàn)的晶圓片。該產(chǎn)業(yè)屬于典型的資產(chǎn)和技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)。根據(jù)數(shù)據(jù),以一座投資規(guī)模為15億元美金的晶圓廠為例,晶圓廠70%的投資用于購買設(shè)備(約10億元美金),設(shè)備中的70%是晶圓的制造設(shè)備。其次,封裝設(shè)備和測(cè)試設(shè)備占比約為15%和10%。
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晶圓制造環(huán)節(jié)半導(dǎo)體設(shè)備配置
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晶圓制造設(shè)備中,光刻機(jī),刻蝕機(jī),薄膜沉積設(shè)備為核心設(shè)備。分別占晶圓制造環(huán)節(jié)的30%,25%,25%。其中光刻機(jī)是半導(dǎo)體芯片制造的最核心設(shè)備,技術(shù)難度最高,單臺(tái)設(shè)備價(jià)格在2000萬美金以上,一個(gè)晶圓廠需要幾臺(tái)左右,高端領(lǐng)域已被荷蘭ASML所壟斷,市場(chǎng)份額高達(dá)80%。ASML新出的EUV光刻機(jī)可用于試產(chǎn)7nm制程,價(jià)格高達(dá)1億美元。而在國(guó)內(nèi)處于技術(shù)領(lǐng)先的上海微電子裝備有限公司已量產(chǎn)的光刻機(jī)中,性能最好的是能用來加工90nm芯片的光刻機(jī);在全球晶圓代工大廠臺(tái)積電、三星電子、英特爾展開20nm以下制程工藝競(jìng)賽的今天,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)在技術(shù)上的落后顯而易見。其次是薄膜沉積設(shè)備,單價(jià)在200-300萬美元,一個(gè)晶圓廠需要30臺(tái)左右。AMAT在CVD設(shè)備和PVD設(shè)備領(lǐng)域都保持領(lǐng)先,而北方華創(chuàng)、沈陽拓荊等國(guó)內(nèi)企業(yè)正在突破:其中北方華創(chuàng)可應(yīng)用于14nm制程的HMPVD和AIPVD設(shè)備開始進(jìn)入生產(chǎn)線驗(yàn)證,應(yīng)用于28nm制程的PVD設(shè)備已量產(chǎn)。再者是刻蝕機(jī),單價(jià)在200萬美元左右,一個(gè)晶圓廠需要40-50臺(tái)刻蝕機(jī),行業(yè)龍頭是LamResearch。國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)的市場(chǎng)份額已從1%提升至6%:中微半導(dǎo)體的16nm刻蝕機(jī)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn),7-10nm刻蝕機(jī)設(shè)備已達(dá)到世界先進(jìn)水平;北方華創(chuàng)可應(yīng)用于14nm制程的硅刻蝕機(jī)也開始進(jìn)入生產(chǎn)線驗(yàn)證。


2025-2031年中國(guó)晶圓制造行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略及未來發(fā)展?jié)摿?bào)告
《2025-2031年中國(guó)晶圓制造行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略及未來發(fā)展?jié)摿?bào)告》共四章,包含2023年半導(dǎo)體市場(chǎng),2023年晶圓制造產(chǎn)業(yè)簡(jiǎn)介,晶圓制造行業(yè)主要企業(yè)分析等內(nèi)容。



