2018年中國半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模、競爭格局、行業(yè)需求設(shè)備及2019年發(fā)展趨勢分析【圖】

    半導(dǎo)體，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。

    目前，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于初級發(fā)展階段，發(fā)展程度低于國際先進水平。在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模引進、消化、吸收以及產(chǎn)業(yè)的重點建設(shè)，中國已成為全球半導(dǎo)體市場最大的市場。數(shù)據(jù)顯示，2017年中國半導(dǎo)體市場實際銷售額為7200.8億元，同比增長13.7%。預(yù)計2018年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額將進一步增長，達到8295.3億元，增長率為12.9%。

2014-2018年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額及增長走勢

數(shù)據(jù)來源：公開資料整理

    相關(guān)報告：智研咨詢網(wǎng)發(fā)布的《2019-2025年中國集成電路行業(yè)市場監(jiān)測及未來前景預(yù)測報告》

    隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，應(yīng)用場景不斷擴展，嵌入到從汽車等各類產(chǎn)品中，同時伴隨著人工智能、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的出現(xiàn)，半導(dǎo)體的市場需求不斷擴大。數(shù)據(jù)顯示，2017年中國半導(dǎo)體市場規(guī)模為16860億元，同比增長11.4%。伴隨著中國集成電路設(shè)計、制造、封裝等產(chǎn)業(yè)在國家政策支持下持續(xù)增長，預(yù)計2018年中國半導(dǎo)體市場規(guī)模將達到18951億元，增長率為12.4%。

2013-2018年中國半導(dǎo)體市場規(guī)模及增長率

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    一、光刻膠行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

    光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光、電子束、準(zhǔn)分子激光束、X射線、離子束等曝光源的照射或輻射，從而使光刻膠的溶解度發(fā)生變化。

    按照應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。

    光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運用到平板顯示的加工制造。最終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

    光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。

    以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。

    光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以提高極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先進的EUV(<13.5nm)線水平。

    目前，半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量最大的。

    1、全球光刻膠市場規(guī)模及市場格局分析

    光刻膠行業(yè)進入壁壘較高，初期投入較大。光刻膠研發(fā)難度較大，不同的客戶會有不同的應(yīng)用需求，同一個客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。針對以上不同的應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多，對廠商的配方研發(fā)能力提出較高要求。同時，行業(yè)資金壁壘較高，光刻膠的研發(fā)需要使用光刻機，以 ASML 為例， EUV 光刻機常年保持在 1 億歐元左右， 248nm的 KrF 光刻機也基本維持在一千萬歐元以上。光刻膠市場呈現(xiàn)寡頭壟斷格局。新材料在線數(shù)據(jù)顯示，前 5 大廠商占據(jù)了全球光刻膠市場 87%的份額，行業(yè)集中度較高。市占率由高到低分別是：日本 JSR（28%）、東京應(yīng)化（21%）、羅門哈斯（15%）、日本信越（13%）以及富士電子材料（10%）。

光刻膠市場格局

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    2015 年全球光刻膠市場規(guī)模達到 73億美元，2010至 2015年市場規(guī)模 CAGR約為 5.8%，預(yù)計 2019 年市場規(guī)模將接近 90 億美元， 2020 年，市場規(guī)模將突破 100 億美元。

全球光刻膠市場規(guī)模

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    2、PCB 光刻膠市場及國產(chǎn)份額持續(xù)增長

    2015 年全球 PCB 光刻膠市場規(guī)模達 18 億美元，從地域結(jié)構(gòu)來看，隨著外資企業(yè)將產(chǎn)能遷至中國，中國 PCB 光刻膠產(chǎn)值占全球比重約 70%，達 12.6億美金。另外，隨著國內(nèi)供應(yīng)商逐步掌握了 PCB 油墨關(guān)鍵原材料合成樹脂的合成技術(shù)，改變了過去對進口合成樹脂的依賴，有效降低了產(chǎn)品成本，形成較為明顯的價格競爭優(yōu)勢。目前，外國獨資企業(yè)約占我國 PCB 油墨市場的 36%，中外合資企業(yè)約占 18%，本土企業(yè)約占 46%。

    雖然面板出貨量有所下滑，但隨著全球高世代線陸續(xù)投產(chǎn)，面板出貨面積有所增長，對上游面板光刻膠需求穩(wěn)定增長，全球 2016 年面板光刻膠市場規(guī)模突破 20 億美元，預(yù)計 2020 年將達到 23.7 億美元，復(fù)合增速約為 4%

全球面板光刻膠市場規(guī)模

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    2017年半導(dǎo)體設(shè)備市場總銷售額達到566億美元，相較于2016年的412億美元，同比增長了37%。2018年有望達到超過600億美元的規(guī)模，符合增長率7.7%。全球半導(dǎo)體設(shè)備投資額呈上升趨勢；

    2016年，中國大陸市場首次超過北美和日本，半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達到64.6億美元，同比增長13%，成為全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售第三大市場。 2017年，中國大陸市場仍處于全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售第三大市場，以27%的增速達到了82.3億的市場規(guī)模。

全球半導(dǎo)體設(shè)備投資額呈上漲趨勢

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    產(chǎn)品市場集中度高，美日技術(shù)領(lǐng)先，以美國應(yīng)用材料、荷蘭阿斯麥、美國拉姆研究、日本東京電子、美國科磊等為代表的Top10國際知名企業(yè)占據(jù)了全球集成電路裝備市場的主要份額。 2016年全球半導(dǎo)體專用設(shè)備前 10 名制造商銷售規(guī)模占全球市場的 79%，前 20 名銷售占比87%，前10名銷售占比92%，市場集中度高。

    3、新建產(chǎn)線資本支出中半導(dǎo)體設(shè)備支出占比高達80%

    晶圓制造設(shè)備在整個半導(dǎo)體制造設(shè)備中占比最大，投資占比達80%；晶圓制造設(shè)備種，光刻機占比最高（30%），其次是刻蝕設(shè)備（20%），PVD（15%），CVD（10%），量測設(shè)備（10%），離子注入設(shè)備（5%）等。

半導(dǎo)體設(shè)備投資占比拆分

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晶圓制造設(shè)備投資占比拆分

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    4、半導(dǎo)體制造核心設(shè)備市場市占率情況分析

    晶圓制造核心設(shè)備為光刻機、刻蝕機、 PVD和CVD，四者總和占晶圓制造設(shè)備支出的75%；

    光刻機被荷蘭阿斯麥和日本的尼康及佳能壟斷，TOP3 市占率高達92.8%； 刻蝕機被美國的拉姆研究、應(yīng)用材料及日本的東京電子壟斷，TOP3 市占率高達90.5%； PVD被美國的應(yīng)用材料、 Evatec、 Ulvac壟斷，TOP3 市占率高達96.2%；CVD被美國的應(yīng)用材料、東京電子、拉姆研究壟斷，TOP3 市占率高達70%； PVD被美國的應(yīng)用材料、 Evatec、 Ulvac壟斷，TOP3 市占率高達96.2%；氧化/擴散設(shè)備主要被日本的日立、東電和ASM壟斷， TOP3 市占率高達94.8%。

半導(dǎo)體制造核心設(shè)備市場Top 3市占率情況

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    5、全球半導(dǎo)體設(shè)備投資情況：中國地區(qū)比重日益提高

全球與中國集成電路設(shè)備投資規(guī)模情況

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    2017-2020全球集成電路設(shè)備投資規(guī)模小幅增長，CAGR=6.2%；中國集成電路設(shè)備投資額高速增長，CAGR=44.8%。預(yù)計2018年中國集成電路設(shè)備投資全球占比將達20%，超越臺灣，成為僅次于韓國的全球第二大半導(dǎo)體設(shè)備投資大國。

2017全球各地區(qū)集成電路裝備投資占比

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2018全球各地區(qū)集成電路裝備投資占比

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    二、光刻膠市場空間分析

    1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)回暖促進上游光刻膠需求

    2016年全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模達 14 億美元，配套試劑規(guī)模達 19 億美元，隨著 16 年以來半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)回暖，對上游需求不斷增長，預(yù)計 2018 年全球半導(dǎo)體光刻膠規(guī)模將接近 16 億美元，配套試劑規(guī)模將突破 20 億美元。

全球半導(dǎo)體光刻膠及配套試劑規(guī)模（億美元）

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    2、國內(nèi)光刻膠市場空間分析

    產(chǎn)業(yè)東遷，國內(nèi)光刻膠市場空間巨大。光刻膠下游需求量最大的三大行業(yè)，都呈現(xiàn)出產(chǎn)能動遷，中國占比提升的趨勢。 PCB 方面， 2006 年以來，我國PCB 市場規(guī)模始終維持世界第一的基礎(chǔ)上，份額不斷增加， 2016 年我國 PCB 市場規(guī)模占全球比重達 50%，預(yù)測今后我國PCB 市場規(guī)模仍將維持 3.5%的復(fù)合年增長率；顯示面板方面，中國市占率不斷提升， 2016 年我國面板產(chǎn)能占全球比重為 26%，隨著京東方等十?dāng)?shù)家國產(chǎn)廠商擴產(chǎn)項目陸續(xù)投產(chǎn)，預(yù)計 2018 年我國面板產(chǎn)能占比有望提升至 35%以上；半導(dǎo)體方面，我國集成電路市場增速自 2012 年以來始終維持在 10%以上，遠高于全球平均增速， 2017 年，我國 IC 國產(chǎn)自給率達到 36%，預(yù)計 2020 年將超過 40%。

    綜合來看國內(nèi)光刻膠需求量將持續(xù)增長， 2015年我國光刻膠需求量為 10 萬噸，預(yù)計到 2022 年，我國光刻膠需求量將超過 27 萬噸。

國內(nèi)光刻膠需求量

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    3、國內(nèi)光刻膠產(chǎn)品改善空間分析

    全球光刻膠下游應(yīng)用較為均衡， PCB 光刻膠、平板顯示光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠以及其他應(yīng)用占比基本都在 25%左右，而國內(nèi)光刻膠主流應(yīng)用集中在 PCB 用光刻膠，占比超 90%，結(jié)構(gòu)較為單一，產(chǎn)品以低端為主，隨著國內(nèi)研發(fā)團隊的不斷突破，國產(chǎn) LCD、半導(dǎo)體光刻膠占比有望提升。

全球光刻膠應(yīng)用結(jié)構(gòu)

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中國大陸光刻膠應(yīng)用結(jié)構(gòu)

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    高端光刻膠自給率較低，蘇州瑞紅實現(xiàn) i 線光刻膠量產(chǎn)。我國光刻膠供需比長期維持在 90%左右， 2015 年我國光刻膠需求量為 10.16 萬噸，產(chǎn)量為 9.7 萬噸，供需比約為 95%，粗看之下，似乎已基本實現(xiàn)國產(chǎn)自給，我國光刻膠產(chǎn)量中， PCB 光刻膠占比超 94%，而 LCD、半導(dǎo)體用高端光刻膠自給率仍然有待提升，目前蘇州瑞紅已實現(xiàn) i 線光刻膠量產(chǎn)，在 248nm 光刻膠的攻關(guān)上，蘇州瑞紅與北京科華處于領(lǐng)跑地位。

    1975 年，國際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一的超凈高純試劑標(biāo)準(zhǔn)，以對應(yīng)不同線寬的集成電路應(yīng)用。從 SEMI 制定的國際統(tǒng)一超凈高純試劑標(biāo)準(zhǔn)可以看出，隨著集成電路制作要求的提高，工藝所需的試劑純度不斷提升。目前，國際上制備 G1 到 G4 級超凈高純試劑的技術(shù)都已經(jīng)趨于成熟。隨著集成電路制作要求的提高，對工藝中所需的電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。從技術(shù)趨勢上看，滿足納米級集成電路加工需求是超凈高純試劑今后發(fā)展方向之一。

    從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，超凈高純試劑需求量占比達 88%，功能性材料占比達 12%。其中，超凈高純試劑中，占比較大的依次是，雙氧水、硫酸、氫氟酸、硝酸以及磷酸；功能性材料中，占比較大的依次是，半導(dǎo)體用顯影液、刻蝕液、面板用顯影液、剝離液以及緩沖刻蝕液。

濕電子化學(xué)品產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

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    4、國內(nèi)濕電子化學(xué)品市場規(guī)模及自給率分析預(yù)測

    按下游應(yīng)用分類，濕電子化學(xué)品主要用于平板顯示、半導(dǎo)體以及光伏領(lǐng)域，其中，顯示面板與半導(dǎo)體的規(guī)模增長將持續(xù)驅(qū)動對上游濕電子化學(xué)品需求的增長。2016年，我國濕電子化學(xué)品市場容量達 74 萬噸，同比增長 10%，市場規(guī)模達59 億元，同比增長 14.5%，預(yù)計 2016-2019 年 CAGR 為 22%， 2019 年市場容量有望達到 130 萬噸。

濕電子化學(xué)品需求量（萬噸）

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濕電子化學(xué)品市場規(guī)模（億元）

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    5、國內(nèi)面板產(chǎn)能擴張，驅(qū)動上游濕電子化學(xué)品市場高速增長。

    2016 年，我國面板用濕電子化學(xué)品需求量達到 37 萬噸，市場規(guī)模約為30 億元，隨著面板廠商不斷擴張產(chǎn)能，預(yù)計 2016 至 2019 年需求量復(fù)合年增長率為 25%，則 2019 年需求量將達到 71 萬噸，假設(shè)均價維持在 8250元/噸不變， 2019 年市場規(guī)模將達到 59 億元。

顯示面板濕電子化學(xué)品需求量

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顯示面板濕電子化學(xué)品需求金額

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    三、半導(dǎo)體行業(yè)需求設(shè)備情況分析

    1、半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品需求量

    濕電子化學(xué)品主要用于半導(dǎo)體集成電路前段的晶圓制造及后端的封裝測試環(huán)節(jié)。晶圓制造是屬于技術(shù)要求高的環(huán)節(jié)，并且隨著集成電路的集成度不斷提高，要求線寬不斷變小，薄膜不斷變薄，相應(yīng)需要技術(shù)水平更高的濕電子化學(xué)品才能滿足工藝需求。同時，為了能夠滿足芯片尺寸更小、功能更強大、能耗更低的技術(shù)性能要求，高端封裝領(lǐng)域所需的濕電子化學(xué)品技術(shù)要求也越來越高。后段用濕電子化學(xué)品主要應(yīng)用于高端封裝領(lǐng)域的清洗、濺射、黃光、蝕刻等工藝環(huán)節(jié)。

    8 寸以上市場國產(chǎn)化率仍有待提高。目前國內(nèi) 6 寸及以下晶圓加工用的濕電子化學(xué)品，國產(chǎn)化率為 80%，而 8 寸及以上晶圓加工的市場，國產(chǎn)化率僅為 10%左右，綜合來看，整體半導(dǎo)體晶圓制作用濕電子化學(xué)品的國產(chǎn)化率在 25%左右，仍有較大提升空間。

    產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移帶來下游需求增長，將帶動半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品市場維持高速增長。2016 年，我國半導(dǎo)體用濕電子化學(xué)品需求量達到23.5 萬噸，市場規(guī)模約為 22 億元，隨著晶圓制造、封測、 IDM 廠商不斷擴張產(chǎn)能，預(yù)計 2016 至 2019 年需求量復(fù)合年增長率為 28%，則 2019 年需求量將達到 44 萬噸， 市場規(guī)模將達到 41 億元

半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品需求量

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半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品需求金額

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    雙氧水與硫酸是消耗量最大的濕電子化學(xué)品，從綜合需求看，超凈高純試劑占濕電子化學(xué)品市場規(guī)模的 88%，而其中雙氧水與硫酸分別占其比重達19%、 18%，對應(yīng)綜合占比為 17%、 16%；從 12 寸晶圓廠需求來看，雙氧水與硫酸消耗量占比達 33%與 31%

濕電子化學(xué)品消耗占比

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    2、光刻機市場競爭格局

    隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的向前發(fā)展，不斷追求著尺寸更小、速度更快、性能更強的芯片。摩爾定律提出：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。正是半導(dǎo)體行業(yè)對于芯片的不斷追求推動了光刻機產(chǎn)品的不斷升級與創(chuàng)新。

    從全球角度來看，高精度的光刻機長期由ASML、尼康和佳能三家把持，從2011-2017歷年全球光刻機出貨比例可以看出，ASML，尼康，佳能三家公司幾乎占據(jù)了99%的市場份額，其中ASML光刻機市場份額常年在60%以上，市場地位極其穩(wěn)固

2011-2017全球光刻機出貨比例

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    2011-2017年頂級光刻機累計出貨量中，EUV完全由ASML壟斷，出貨來源達到100%，ArFi光刻機超過80%也都由ASML提供。尼康和佳能的先進制程遠落后于ASML，主要市場在中低端，最大優(yōu)勢僅在于成本；

    2017年全球晶圓制造用光刻機臺出貨不足300臺，其中ASML共就出貨198臺，占全球近7成的市場。其中EUV光刻機11臺，ArFi光刻機76臺，ArF光刻機14臺，KrF光刻機71臺，i-line光刻機26臺。

2011-2017年光刻機各品類累計出貨量來源

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    3、刻蝕設(shè)備需求情況分析

    2017-2020年，全球?qū)⑿略?2座半導(dǎo)體晶圓廠。 一個晶圓廠大概需要40-50臺刻蝕機，單價在200萬美元左右。 因此預(yù)計2017-2020年，全球新增晶圓廠僅刻蝕設(shè)備就將帶來50多億美元的市場需求。

    刻蝕機的工作原理是按光刻機刻出的電路結(jié)構(gòu)，在硅片上進行微觀雕刻，刻出溝槽或接觸孔?？涛g利用顯影后的光刻膠圖形作為掩模，在襯底上腐蝕掉一定深度的薄膜物質(zhì)，隨后得到與光刻膠圖形相同的集成電路圖形?？涛g步數(shù)隨工藝制程變化情況

不同刻蝕機的市場份額情況

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    2017-2025年，按照收入計算，全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場的年復(fù)合增長率為6.8%，按產(chǎn)量計算，從2017至2025年間年增長率為8.5%。預(yù)計到2025年收入將達到138.9億美元，2016年度市場收入為78億美元，2016年度半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場規(guī)模為173.3萬臺，到2025年底將達到389.1萬臺。按照地理測算，亞太地區(qū)的市場占有率最大。該地區(qū)的優(yōu)勢被歸因于技術(shù)先進的便攜式設(shè)備以及該地區(qū)的智能設(shè)備的出貨量上升。

全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模（億美元）

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全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模（萬臺）

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    863項目的時候，科技部在2001年提出了重點發(fā)展三款核心設(shè)備，一臺是北方華創(chuàng)的硅刻蝕機，一臺是北京中科信的離子注入機，還有一臺是上海微電子的光刻機；雖然國產(chǎn)刻蝕機的市場份額僅6%，但國內(nèi)企業(yè)也正在高端制程上不斷發(fā)力。 中微是唯一打入臺積電7納米制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商, 并與臺積電聯(lián)合進行5nm認(rèn)證。 北方華創(chuàng)8英寸高密度等離子硅刻蝕機已進入中芯國際產(chǎn)線，深硅刻蝕設(shè)備也挺近了東南亞市場；先進封裝制程中的刻蝕機已經(jīng)基本實現(xiàn)國產(chǎn)化，國產(chǎn)化率已超過90%，產(chǎn)品性能達到國際先進水平。

    4、半導(dǎo)體PVD設(shè)備市場規(guī)模及競爭格局情況分析

    PVD下游應(yīng)用廣泛，集成電路、太陽能產(chǎn)品、醫(yī)療設(shè)備、切削工具、建筑玻璃等各種應(yīng)用領(lǐng)域?qū)VD均有不斷增加的需求，預(yù)計全球PVD市場將出現(xiàn)快速增長。 2016年，集成電路市場在全球物理氣相沉積市場中占據(jù)了40%以上的份額，預(yù)計在未來幾年將保持主導(dǎo)地位；2015年全球半導(dǎo)體PVD設(shè)備市場為20.1億美元，預(yù)計2020年將達到35.5億美元，年均復(fù)合增長率將達到12%。預(yù)計2017年亞太地區(qū)PVD設(shè)備市場將占到全球市場份額的45%

2015-2020全球PVD設(shè)備市場規(guī)模(億美元)

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2017全球PVD設(shè)備市場份額

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    5、CVD設(shè)備市場規(guī)模及競爭格局情況分析

    CVD用于各種應(yīng)用，例如微電子元件，數(shù)據(jù)存儲，太陽能產(chǎn)品，切割工具，醫(yī)療設(shè)備和一些其他最終用途應(yīng)用。其中微電子部分所占比重最大，2016年全球CVD市場中，微電子元件占到近40%的比重；預(yù)計全球半導(dǎo)體CVD設(shè)備市場將在未來五年內(nèi)以約1.1％的復(fù)合年增長率增長，從2017年的83.7億美元到2023年達到89.2億美元；LPCVD是CVD設(shè)備中最大的技術(shù)領(lǐng)域，2014年占據(jù)CVD設(shè)備市場35.6%以上的份額。

2015-2020全球半導(dǎo)體CVD設(shè)備市場規(guī)模(億美元)

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    6、ALD設(shè)備市場規(guī)模及競爭格局情況分析

    預(yù)計到2024年，全球原子層沉積（ALD）設(shè)備市場將達到80.59億美元，從2016年到2024年將以年復(fù)合增長率29.1%的速度增加。在智能手機、微型打印機、電子游戲、便攜式媒體播放器、 DVD播放器和其他電子設(shè)備的生產(chǎn)中，對ALD設(shè)備和技術(shù)的需求有所增加。

    從地區(qū)分布來看，亞太地區(qū)ALD份額最大，約占60%。其次是北美和歐洲地區(qū)，分別占20%和19%。

2015-2024全球ALD設(shè)備市場規(guī)模

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    7、半導(dǎo)體前端檢測設(shè)備占比情況分析

    前道檢測主要為工藝流程控制設(shè)備，后道檢測主要為自動檢測設(shè)備，從市場規(guī)模上來看，工藝流程控制設(shè)備市場規(guī)模為51億美元，占比60%，自動檢測設(shè)備（ATE）市場規(guī)模為34億美元，大概占總測試設(shè)備市場份額的40%。

    在工藝流程檢測市場全球競爭格局中，科磊半導(dǎo)體市占率為50%，位居第一位，遙遙領(lǐng)先，應(yīng)用材料市占率12%左右，位居第二，日立的市占率10%左右，位居市場第三。前三大設(shè)備商市占率為72%，市場集中度較高。

2017年半導(dǎo)體測試設(shè)備細分情況（億美元）

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全球半導(dǎo)體前端檢測市場競爭格局

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    8、半導(dǎo)體后道測試設(shè)備行業(yè)分析

    2017年ATE市場規(guī)模34億美元，工藝流程控制設(shè)備市場規(guī)摸為51億美元，預(yù)計2018年ATE市場份額處于30-33億美元之間，到2025年ATE市場預(yù)計將達到45.9億美元；從行業(yè)集中度來看，美國泰瑞達（Teradyne）、日本愛德萬（Advantest）兩家公司測試設(shè)備全球市場份額2016年占比已高達63.5%，市場集中度很高。

2013-2018ATE市場規(guī)模情況

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    在眾多下游細分市場中，SOC測試、存儲器測試、高級射頻測試是市占率最高的，其中SOC和存儲測試市占率兩者合計將超過80%，SOC測試、存儲器測試、高級射頻測試三者加起來市占率超95%。

半導(dǎo)體檢測設(shè)備細分市場結(jié)構(gòu)

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SOC芯片測試市場情況估計

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    9、全球清洗機市場規(guī)模分析

    2017年全球半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場規(guī)模接近30億美元。預(yù)計2015-2024年復(fù)合年增長率將達到6.8%。

    2015年全球半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場前三名為SCREEN、東京電子和拉姆研究，合計占據(jù)市場87.7%的份額。其中SCREEN市占率最高，2016年全球半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場，SCREEN市占率為53%。

2015-2020年全球清洗設(shè)備市場規(guī)模

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    10、離子注入機市場格局

    目前，全球離子注入機市場規(guī)模為10億美元左右，從全球競爭格局上看，應(yīng)用材料長期以來占據(jù)了70%以上的市場，除此之外，美國的亞舍立科技發(fā)展迅猛，市場分額也在不斷增加。

    由于芯片尺寸不斷縮小，為了實現(xiàn)淺層摻雜，低能大束流日漸成為主流。目前，低能大束流占有離子注入機市場的55%。從大束流離子注入機整體格局看，主要由三家龍頭企業(yè)掌控。應(yīng)用材料收購Varian公司成為老大，占有40%的市場份額；其次是Axcelis，占有32%的市場份額；第三家是AIBT，占有25%的市場份額，前三家企業(yè)包攬了97%以上的市場份額，行業(yè)高度集中。

全球離子注入機市場格局

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低能大束流離子注入機市場分額

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    11、CMP市場規(guī)模及競爭格局分析

    2017年全球化學(xué)機械平面化市場價值為36.7億美元，到2025年底將達到60.9億美元，2018 - 2025年間復(fù)合年增長率為6.5％。

    CMP市場主要分為設(shè)備和耗材，其中CMP耗材占比接近68%，CMP設(shè)備僅僅為32%。

2017年全球CMP市場規(guī)模

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CMP市場主要由設(shè)備和耗材組成

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    CMP設(shè)備主要被應(yīng)用材料和日本的Ebara壟斷，兩者市占率之和超過90%； 拋光材料是CMP工藝過程中必不可少的耗材，根據(jù)功能的不同，可以劃分為拋光墊、拋光液、調(diào)節(jié)器、清潔劑等。目前，CMP拋光材料主要以拋光液（48%）和拋光墊（31%）為主。 全球芯片拋光液生產(chǎn)企業(yè)主要被日本 Fujimi、 Hinomoto Kenmazai 公司，美國卡博特、杜邦、 Rodel、 Eka，韓國的 ACE等所壟斷，占據(jù)全球 90%以上的高端市場份額；拋光墊市場主要被陶氏化學(xué)公司所壟斷，市場份額超過80%，其他供應(yīng)商還包括日本東麗、 3M、臺灣三方化學(xué)、卡博特等。

全球CMP設(shè)備供應(yīng)商市占率

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2017年全球CMP拋光材料細分市場分析

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    四、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢

    半導(dǎo)體行業(yè)是一個永不停息的行業(yè)，人類社會的文明便是靠著科學(xué)家們潛心研發(fā)出來的這些小元件支撐的，常見的電源管理芯片、場效應(yīng)管、肖特基二極管等電子產(chǎn)品也發(fā)揮了它們的作用。但任何產(chǎn)業(yè)都不會是一帆風(fēng)順的，過了2018年，2019年的日子里，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也將會面臨多種難題。

    1、2019年半導(dǎo)體整體周期下行

    2018年9月全球半導(dǎo)體銷售額達409.1億美元，創(chuàng)下單月新高，但同比增速放緩至13.8%。截至11月23日的近一月來，費城半導(dǎo)體指數(shù)下跌3.9%。根據(jù)市場一致預(yù)期，有機構(gòu)跟蹤的全球22家公司中，有18家下一財年業(yè)

績增速將放緩或倒退。

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    半導(dǎo)體行業(yè)要看的是頭部的公司，特別是海外的龍頭公司。而不是去看那些小而美的公司，因為在半導(dǎo)體領(lǐng)域，小往往并不美。

    從數(shù)據(jù)來看，半導(dǎo)體行業(yè)的疲軟至少在2019年的第一季度不會有所好轉(zhuǎn)。同時，世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)預(yù)測，由于中美的影響，全球經(jīng)濟不明因素多。因此將2019年全球半導(dǎo)體銷售額成長率預(yù)估值自6月預(yù)估的年增4.4%下修至年增2.6%，年增幅將創(chuàng)3年來(2016年以來、年增1.1%)新低水準(zhǔn)。

    存儲器銷售額預(yù)估將年減0.3%，為三年來首次陷入萎縮。分領(lǐng)域來看，比如，在計算機芯片領(lǐng)域，虛擬貨幣挖礦需求減退拖累行業(yè)增長。

    英偉達指出，虛擬貨幣挖礦需求的減退導(dǎo)致原來用于挖礦的二手顯卡充斥市場，導(dǎo)致公司游戲顯卡業(yè)務(wù)出現(xiàn)近14個財務(wù)季度以來的首次環(huán)比倒退，AMD的顯卡業(yè)務(wù)受同樣原因掣肘；英特爾10nmCPU延遲推出加之現(xiàn)有產(chǎn)品持續(xù)缺貨，對存儲器等需求造成影響。應(yīng)該來說，這些都是行業(yè)頹勢的表現(xiàn)。

    需求轉(zhuǎn)弱、中美摩擦加劇是主要兩個負面因素。比如設(shè)備方面，受美國加強半導(dǎo)體技術(shù)出口管制以及行業(yè)放緩等影響，主要美國半導(dǎo)體設(shè)備公司9月以來下跌明顯。

    讓人頭疼的是，這個因素暫時看不到減緩的跡象，尤其在談判的過程中，可能出現(xiàn)各種意外的因素，如HW高管事件和中興事件等等，都會對國內(nèi)以半導(dǎo)體為核心的自主可控領(lǐng)域形成壓制。

    2、政策面進入靜默期

    以半導(dǎo)體國家大基金（一期）驅(qū)動的密集投資為標(biāo)志，近幾年政策層面對半導(dǎo)體的加碼達到了高峰。

    截至2017年底，大基金一期累計有效決策投資67個項目，累計承諾投資額1188億元（實際出資超過800億）；各地方政府配套的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金也達到了幾千億；半導(dǎo)體領(lǐng)域成長性強、特色鮮明的公司，也都集中在近兩三年上市，2017年內(nèi)上市約14家，2016年上市5家，2014-2015年上市6家。

    半導(dǎo)體領(lǐng)域大的政策預(yù)期，就是國家大基金二期項目了。據(jù)查證，仍正在募資中，預(yù)計規(guī)模1500-2000億。重點投資方向：存儲芯片、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、化合物半導(dǎo)體等等。

    2019年是很多省市規(guī)劃建設(shè)的重點半導(dǎo)體項目的投產(chǎn)年，也是大考年。不僅僅對項目本身，對于各地方政府，也會明顯意識到半導(dǎo)體生產(chǎn)線項目“高風(fēng)險、長周期、持續(xù)燒錢”的特點；

    加之宏觀經(jīng)濟不振和地方債務(wù)高企，外部環(huán)境復(fù)雜性和風(fēng)險系數(shù)都顯著提升，國內(nèi)很多地方政府對投資和發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的信心可能會受到不小挑戰(zhàn)，政策支持和政府資金投入可持續(xù)性面臨考驗。

    由于地方政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資是維持國內(nèi)產(chǎn)業(yè)高景氣度的最重要驅(qū)動因素之一，而隨著地方政府的熱情有所下降，疊加全行業(yè)本身面臨的低谷周期，2019年可能進入到全行業(yè)的洗牌時刻。近期國內(nèi)三大存儲器項目福建晉華被美制裁，影響極大。