一、中國(guó)大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
存儲(chǔ)器是一種用于保存信息的記憶設(shè)備，一般按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。目前主流的存儲(chǔ)器是DRAM與NANDFlash，兩者占據(jù)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的九成以上。
不同存儲(chǔ)器性能對(duì)比
?。?/div> | DRAM | NANDFlash | NORFlash |
市場(chǎng)份額 | 53% | 42% | 3% |
當(dāng)前制程 | 18/17nm | 16/15nm | 55/28nm |
成本 | 高 | 低 | 中 |
揮發(fā)性 | 易失性 | 非易失性 | 非易失性 |
隨機(jī)讀取 | 極快 | 高速 | 低速 |
擦除與寫(xiě)入速度 | 極快（無(wú)擦除） | 高速（4ms） | 低速（5s） |
尺寸 | - | 小，NOR的1/8 | 大 |
壽命 | 無(wú)限 | 百萬(wàn)次 | 十萬(wàn)次 |
功耗 | - | 中 | 高 |
容量 | 低MB/GB | 高GB/TB | 中MB/GB |
數(shù)據(jù)來(lái)源：公開(kāi)資料整理
中國(guó)大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
1956年 | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)發(fā)展史上的關(guān)鍵一年。1月，中央提出“向科學(xué)進(jìn)軍”的口號(hào)。在周恩來(lái)總理親自主持制定的1956-1967年十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃中，把半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化和電子學(xué)這四個(gè)在國(guó)際上發(fā)展迅速而國(guó)內(nèi)急需發(fā)展的高新技術(shù)列為四大緊急措施。在“重點(diǎn)發(fā)展、迎頭趕上”和“以任務(wù)帶學(xué)科”的方針指引下，中國(guó)的知識(shí)分子、技術(shù)人員在海外回國(guó)的一批半導(dǎo)體學(xué)者帶領(lǐng)下，憑藉知識(shí)和實(shí)驗(yàn)室發(fā)展到實(shí)驗(yàn)性工廠和生產(chǎn)性工廠，在外界封鎖的環(huán)境下，從零開(kāi)始建立起自己的半導(dǎo)體行業(yè)。 |
1958年7月 | 成功拉制成我國(guó)第一根硅單晶，并在此基礎(chǔ)上，提高材料質(zhì)量和改進(jìn)技術(shù)工藝，于1959年實(shí)現(xiàn)了硅單晶的實(shí)用化。 |
1958年8月， | 為研制高技術(shù)專用109計(jì)算機(jī)，我國(guó)第一個(gè)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠成立，命名為“109廠”，作為高技術(shù)半導(dǎo)體器件和集成電路研制生產(chǎn)中試廠。1963年制造出國(guó)產(chǎn)硅平面型晶體管。1966年109廠與上海光學(xué)儀器廠協(xié)作，研制成功我國(guó)第一臺(tái)65型接觸式光刻機(jī)，由上海無(wú)線電專用設(shè)備廠進(jìn)行生產(chǎn)并向全國(guó)推廣。1969年109廠與丹東精密儀器廠協(xié)作，研制成功全自動(dòng)步進(jìn)重復(fù)照相機(jī)，套刻精度達(dá)3微米，后由北京700廠批量生產(chǎn)并向全國(guó)推廣。隨著研究的深入，我國(guó)逐步在外延工藝，光刻技術(shù)等領(lǐng)域取得了進(jìn)展，打下了我國(guó)硅集成電路研究的基礎(chǔ)。 |
1975年 | 北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體研究小組完成硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS三種技術(shù)方案，在109廠采用硅柵NMOS技術(shù)，試制出中國(guó)大陸第一塊1KDRAM，比美國(guó)、日本要晚五年。 |
1978年 | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成功研制4KDRAM，1979年在109廠成功投產(chǎn)，平均成品率達(dá)28%。 |
1980年 | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成功研制16KDRAM，1981年在109廠成功投產(chǎn)。 |
1985年 | 中國(guó)科學(xué)院微電子中心成功研制64KDRAM，當(dāng)年在江南無(wú)線電器材廠（742廠）成功投產(chǎn)。 |
1990年11月 | 清華大學(xué)李志堅(jiān)院士研制成功具有我國(guó)獨(dú)立自主版權(quán)、在性能指標(biāo)上達(dá)到世界先進(jìn)水平的1兆位漢字只讀存儲(chǔ)器（1MROM）芯片，突破國(guó)外對(duì)先進(jìn)科技的禁運(yùn)，滿足國(guó)家的戰(zhàn)略需求。1兆位漢字只讀存儲(chǔ)器芯片就是用點(diǎn)陣技術(shù)描述一個(gè)漢字，再由兩個(gè)芯片形成一級(jí)漢字庫(kù)，這樣會(huì)加快運(yùn)算速度，這個(gè)成果后來(lái)推廣到了無(wú)錫華晶。 |
1993年 | 無(wú)錫華晶采用2.5微米工藝制造出中國(guó)大陸第一塊256KDRAM。 |
在1990年代 | NEC在中國(guó)大陸成立了兩家合資公司生產(chǎn)DRAM。NEC在中國(guó)的兩大DRAM合資項(xiàng)目最終雖然以失敗告終，但是為中國(guó)培養(yǎng)了第一批半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造人才。 |
1991年 | NEC和首鋼合資成立了首鋼NEC，1995年開(kāi)始采用6英寸1.2微米工藝生產(chǎn)4MDRAM（后來(lái)升級(jí)到16M），不過(guò)在經(jīng)歷了1997年DRAM全球大跌價(jià)的“劫難”后，首鋼NEC便一蹶不振，陷入虧損境地，在2000年的增資擴(kuò)股中，NEC獲得了50.3%的控股權(quán)，淪為NEC在海外的一個(gè)代工基地，退出了DRAM產(chǎn)業(yè)。 |
1997年 | NEC和華虹集團(tuán)合資成立華虹NEC，1999年9月開(kāi)始采用8英寸0.35微米工藝技術(shù)生產(chǎn)當(dāng)時(shí)主流的64MDRAM內(nèi)存芯片，但在2001年后隨著NEC退出DRAM市場(chǎng)，華虹開(kāi)始轉(zhuǎn)型，于2004年開(kāi)始晶圓代工，退出了DRAM產(chǎn)業(yè)。進(jìn)入21世紀(jì)，中芯國(guó)際2004年在北京建設(shè)中國(guó)大陸第一座12英寸晶圓廠（Fab4），2006年大規(guī)模量產(chǎn)80納米工藝，為奇夢(mèng)達(dá)、爾必達(dá)代工生產(chǎn)DRAM。2008年由于中芯國(guó)際業(yè)務(wù)調(diào)整，退出了DRAM存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)。到此中國(guó)大陸企業(yè)完全退出了DRAM存儲(chǔ)器制造業(yè)務(wù)。 |
2003年 | 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠團(tuán)隊(duì)率先在國(guó)內(nèi)開(kāi)展相變存儲(chǔ)器的研發(fā)。 |
1956年 | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)發(fā)展史上的關(guān)鍵一年。1月，中央提出“向科學(xué)進(jìn)軍”的口號(hào)。在周恩來(lái)總理親自主持制定的1956-1967年十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃中，把半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化和電子學(xué)這四個(gè)在國(guó)際上發(fā)展迅速而國(guó)內(nèi)急需發(fā)展的高新技術(shù)列為四大緊急措施。在“重點(diǎn)發(fā)展、迎頭趕上”和“以任務(wù)帶學(xué)科”的方針指引下，中國(guó)的知識(shí)分子、技術(shù)人員在海外回國(guó)的一批半導(dǎo)體學(xué)者帶領(lǐng)下，憑藉知識(shí)和實(shí)驗(yàn)室發(fā)展到實(shí)驗(yàn)性工廠和生產(chǎn)性工廠，在外界封鎖的環(huán)境下，從零開(kāi)始建立起自己的半導(dǎo)體行業(yè)。 |
1958年7月 | 成功拉制成我國(guó)第一根硅單晶，并在此基礎(chǔ)上，提高材料質(zhì)量和改進(jìn)技術(shù)工藝，于1959年實(shí)現(xiàn)了硅單晶的實(shí)用化。 |
1958年8月 | 為研制高技術(shù)專用109計(jì)算機(jī)，我國(guó)第一個(gè)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠成立，命名為“109廠”，作為高技術(shù)半導(dǎo)體器件和集成電路研制生產(chǎn)中試廠。1963年制造出國(guó)產(chǎn)硅平面型晶體管。1966年109廠與上海光學(xué)儀器廠協(xié)作，研制成功我國(guó)第一臺(tái)65型接觸式光刻機(jī)，由上海無(wú)線電專用設(shè)備廠進(jìn)行生產(chǎn)并向全國(guó)推廣。1969年109廠與丹東精密儀器廠協(xié)作，研制成功全自動(dòng)步進(jìn)重復(fù)照相機(jī)，套刻精度達(dá)3微米，后由北京700廠批量生產(chǎn)并向全國(guó)推廣。隨著研究的深入，我國(guó)逐步在外延工藝，光刻技術(shù)等領(lǐng)域取得了進(jìn)展，打下了我國(guó)硅集成電路研究的基礎(chǔ)。 |
1975年 | 北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體研究小組完成硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS三種技術(shù)方案，在109廠采用硅柵NMOS技術(shù)，試制出中國(guó)大陸第一塊1KDRAM，比美國(guó)、日本要晚五年。 |
1978年 | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成功研制4KDRAM，1979年在109廠成功投產(chǎn)，平均成品率達(dá)28%。 |
1980年 | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成功研制16KDRAM，1981年在109廠成功投產(chǎn)。 |
1985年 | 中國(guó)科學(xué)院微電子中心成功研制64KDRAM，當(dāng)年在江南無(wú)線電器材廠（742廠）成功投產(chǎn)。 |
1990年11月 | 清華大學(xué)李志堅(jiān)院士研制成功具有我國(guó)獨(dú)立自主版權(quán)、在性能指標(biāo)上達(dá)到世界先進(jìn)水平的1兆位漢字只讀存儲(chǔ)器（1MROM）芯片，突破國(guó)外對(duì)先進(jìn)科技的禁運(yùn)，滿足國(guó)家的戰(zhàn)略需求。1兆位漢字只讀存儲(chǔ)器芯片就是用點(diǎn)陣技術(shù)描述一個(gè)漢字，再由兩個(gè)芯片形成一級(jí)漢字庫(kù)，這樣會(huì)加快運(yùn)算速度，這個(gè)成果后來(lái)推廣到了無(wú)錫華晶。 |
1993年 | 無(wú)錫華晶采用2.5微米工藝制造出中國(guó)大陸第一塊256KDRAM。在1990年代，NEC在中國(guó)大陸成立了兩家合資公司生產(chǎn)DRAM。NEC在中國(guó)的兩大DRAM合資項(xiàng)目最終雖然以失敗告終，但是為中國(guó)培養(yǎng)了第一批半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造人才。 |
1991年 | NEC和首鋼合資成立了首鋼NEC，1995年開(kāi)始采用6英寸1.2微米工藝生產(chǎn)4MDRAM（后來(lái)升級(jí)到16M），不過(guò)在經(jīng)歷了1997年DRAM全球大跌價(jià)的“劫難”后，首鋼NEC便一蹶不振，陷入虧損境地，在2000年的增資擴(kuò)股中，NEC獲得了50.3%的控股權(quán)，淪為NEC在海外的一個(gè)代工基地，退出了DRAM產(chǎn)業(yè)。 |
1997年 | NEC和華虹集團(tuán)合資成立華虹NEC，1999年9月開(kāi)始采用8英寸0.35微米工藝技術(shù)生產(chǎn)當(dāng)時(shí)主流的64MDRAM內(nèi)存芯片，但在2001年后隨著NEC退出DRAM市場(chǎng)，華虹開(kāi)始轉(zhuǎn)型，于2004年開(kāi)始晶圓代工，退出了DRAM產(chǎn)業(yè)。進(jìn)入21世紀(jì)，中芯國(guó)際2004年在北京建設(shè)中國(guó)大陸第一座12英寸晶圓廠（Fab4）， |
2006年 | 大規(guī)模量產(chǎn)80納米工藝，為奇夢(mèng)達(dá)、爾必達(dá)代工生產(chǎn)DRAM。2008年由于中芯國(guó)際業(yè)務(wù)調(diào)整，退出了DRAM存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)。到此中國(guó)大陸企業(yè)完全退出了DRAM存儲(chǔ)器制造業(yè)務(wù)。 |
2018年 | 晉華集成廠房完成建設(shè)和部分設(shè)備機(jī)臺(tái)入廠，但由于和美光的訴訟，10月遭遇美國(guó)制裁，現(xiàn)在處于維持設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)。 |
2019年8月 | 時(shí)代芯存宣布發(fā)布首顆基于相變材料的2MbEEPROM產(chǎn)品“溥元611”。 |
2019年9月2日 | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布64層256GbTLC3DNANDFlash投產(chǎn)。 |
2019年9月20日 | 合肥長(zhǎng)鑫宣布正式投產(chǎn)。在短短的三年內(nèi)，合肥長(zhǎng)鑫在元件、光罩、設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試領(lǐng)域都積累了許多的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)。除了自主研發(fā)外，合肥長(zhǎng)鑫也積極貫徹穩(wěn)健的技術(shù)合作路線，強(qiáng)調(diào)技術(shù)來(lái)源的合法合規(guī)以及合作互利共贏。通過(guò)與擁有深厚技術(shù)積累的奇夢(mèng)達(dá)合作，在合規(guī)輸入技術(shù)的基礎(chǔ)上建立了嚴(yán)謹(jǐn)合規(guī)的研發(fā)體系，并結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備完成了大幅度的工藝改進(jìn)。目前公司采用19納米的8GbDDR4已經(jīng)投產(chǎn)，第四季8GbLPDDR4/4X也將正式投產(chǎn)。 |
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二、DRAM行業(yè)分布及市場(chǎng)格局
DRAM（DynamicRandomAccessMemory），即bai動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)du內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)zhi保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。
DRAM行業(yè)早期競(jìng)爭(zhēng)激烈，參與者眾多，70年代是市場(chǎng)分水嶺。1972年，Intel憑借1KDRAM研發(fā)取得成功，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。同時(shí)期，IBM和德州儀器也開(kāi)始入局。1973年，PC需求放緩對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成沖擊。德州儀器和各大日本廠商抓住時(shí)機(jī)進(jìn)入內(nèi)存市場(chǎng)，Intel市場(chǎng)份額快速下降。80年代，日本廠商憑借低價(jià)的優(yōu)勢(shì)份額持續(xù)提升，韓國(guó)三星也在此時(shí)開(kāi)始布局DRAM。1984年，Intel開(kāi)始退出市場(chǎng)；1998年，德州儀器將存儲(chǔ)業(yè)務(wù)出售給美光；1999年IBM也將合資工廠出售給東芝并退出市場(chǎng)。
1980-2019年全球DRAM主要廠商變化
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2018年DRAM各廠商市場(chǎng)份額
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目前DRAM市場(chǎng)呈現(xiàn)三星電子、SK海力士和美光科技三足鼎立的格局，中國(guó)廠商兆易創(chuàng)新加速布局。
1 | 三星電子 | 于1969成立是韓國(guó)三星集團(tuán)旗下最大的子公司。初期主要生產(chǎn)家用電子產(chǎn)品，70年代逐漸將業(yè)務(wù)擴(kuò)展至通訊、電子等領(lǐng)域。1983年進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)并逐步實(shí)現(xiàn)全球領(lǐng)先。其半導(dǎo)體產(chǎn)品主要有DRAM、SRAM、閃存、ASIC、CPU和面板等。 |
2、 | SK海力士 | 前身為韓國(guó)現(xiàn)代電子，該公司成立于1983年，經(jīng)過(guò)多年整合公司已經(jīng)轉(zhuǎn)型為專業(yè)的存儲(chǔ)器制造商，致力于DRAM和NANDFlash。根據(jù)SK海力士（中國(guó)）官網(wǎng)介紹，公司目前在韓國(guó)有1條8英寸晶圓生產(chǎn)線和2條12英寸生產(chǎn)線，在中國(guó)無(wú)錫有一條12英寸生產(chǎn)線。 |
3 | 美光科技（MicronTechnology） | 于1978年成立于美國(guó)，是全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存和影像產(chǎn)品制造商之一，主要產(chǎn)品有DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器等，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)、計(jì)算機(jī)、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費(fèi)類以及醫(yī)療等領(lǐng)域。 |
4、 | 兆易創(chuàng)新（603986.SH） | 成立于2005年，是我國(guó)本土存儲(chǔ)器、控制器芯片設(shè)計(jì)公司。產(chǎn)品包括NORFlash、NANDFlash及MCU，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、消費(fèi)電子、個(gè)人電腦、電信醫(yī)療及辦公設(shè)備、汽車電子及工業(yè)控制設(shè)備等。目前，公司正加緊在DRAM領(lǐng)域的布局。根據(jù)公司公告，2017年10月公司與合肥產(chǎn)投簽署合作協(xié)議，開(kāi)展12英寸晶圓存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目，切入DRAM產(chǎn)品線。2019年4月，公司與合肥產(chǎn)投、長(zhǎng)鑫集成簽署《可轉(zhuǎn)股債權(quán)投資協(xié)議》，以可轉(zhuǎn)股債權(quán)方式對(duì)項(xiàng)目投資3億元人民幣。在合作模式上，公司與合肥長(zhǎng)鑫為代工關(guān)系，公司自研消費(fèi)類電子、工業(yè)控制以及汽車類DRAM利基型產(chǎn)品，合肥長(zhǎng)鑫主要針對(duì)大客戶做通用型的產(chǎn)品（根據(jù)兆易創(chuàng)新年報(bào)及公告）。合肥長(zhǎng)鑫是大陸首家DRAMIDM生產(chǎn)商，2016年成立，2017年與兆易創(chuàng)新合作建設(shè)12英寸DRAM晶圓廠；2018年1月一期廠房建設(shè)完成；2018年底推出8GbDDR4工程樣片；2019年9月正式投產(chǎn)19nm工藝的8GbDDR4；預(yù)計(jì)2021年完成17nm技術(shù)研發(fā) |
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智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國(guó)DRAM動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)深度評(píng)估及投資方向分析報(bào)告》顯示：DRAM占據(jù)存儲(chǔ)器領(lǐng)域最大市場(chǎng)。2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模4780億美元，存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模為1650億美元，占比34.52%。其中在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模為957億美元，占比58%，是存儲(chǔ)器領(lǐng)域第一大細(xì)分市場(chǎng)。
存儲(chǔ)器領(lǐng)域是半導(dǎo)體第一細(xì)分市場(chǎng)
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DRAM是存儲(chǔ)器領(lǐng)域第一細(xì)分市場(chǎng)
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中國(guó)是DRAM領(lǐng)域最大市場(chǎng)，幾乎完全依賴進(jìn)口?，F(xiàn)階段全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中心已經(jīng)轉(zhuǎn)移到中國(guó)，中國(guó)已經(jīng)成為半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大和成長(zhǎng)最快的市場(chǎng)。根2018年全球DRAM市場(chǎng)上中國(guó)占比高達(dá)42.8%，但自給率幾乎為零。
中國(guó)是DRAM領(lǐng)域最大市場(chǎng)
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DRAM被海外三大寡頭壟斷，行業(yè)集中率持續(xù)提升。目前DRAM市場(chǎng)上，韓國(guó)三星、韓國(guó)海力士、美國(guó)美光三大企業(yè)呈“三足鼎立”趨勢(shì)。2018年DRAM市場(chǎng)Top3集中度在95.5%左右。DRAM市場(chǎng)歷經(jīng)多輪周期洗牌，自2006年起行業(yè)集中度不斷提高，Top3集中度由2005年的61.9%大幅提升到2018年的95.5%，其余份額來(lái)自臺(tái)灣大小廠商，中國(guó)大陸榜上無(wú)名，存在巨大國(guó)產(chǎn)替代空間。
DRAM領(lǐng)域被Top3廠商壟斷
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二、供需改善，DRAM市場(chǎng)止跌回彈
DRAM行業(yè)受供需關(guān)系驅(qū)動(dòng)，具有明顯周期性。需求段看，宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)、科技發(fā)展水平、產(chǎn)品生命周期等因素影響DRAM下游需求；供給端看，供應(yīng)商不同資本開(kāi)支水平帶來(lái)產(chǎn)能變化，引起供需失配。2010—2019年DRAM行業(yè)經(jīng)歷兩輪漲價(jià)，2020年有望迎來(lái)第三輪上行周期
DRAM在2010—2019年已歷經(jīng)兩輪周期
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1、需求端：智能手機(jī)和服務(wù)器有望迎來(lái)快速增長(zhǎng)
目前DRAM已進(jìn)入智能手機(jī)，云數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)階段。DRAM下游需求劃分為標(biāo)準(zhǔn)型(PC)、服務(wù)器(Server)、移動(dòng)式(mobile)、繪圖用(Graphic)、消費(fèi)電子類(Consumer)五類，其中前三大應(yīng)用領(lǐng)域分別是移動(dòng)式，服務(wù)器和PC。預(yù)計(jì)2019年移動(dòng)式領(lǐng)域需求占比33.5%，移動(dòng)式主要指智能手機(jī)。智能手機(jī)和服務(wù)器成為拉動(dòng)游市場(chǎng)回暖的最強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力。
2019年DRAM下游需求占比
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5G/云推動(dòng)，智能手機(jī)內(nèi)存成最大市場(chǎng)。預(yù)計(jì)隨著5G網(wǎng)絡(luò)全面普及，智能手機(jī)市場(chǎng)經(jīng)歷疲軟后將迎來(lái)一波換機(jī)熱潮，以較快速度恢復(fù)增長(zhǎng)。同時(shí)5G將帶動(dòng)一大批占據(jù)較大內(nèi)存的新手機(jī)APP產(chǎn)生，加速5G手機(jī)容量增加需求。智能手機(jī)市場(chǎng)有望實(shí)現(xiàn)銷量和容量“雙量齊增”，大幅拉動(dòng)DRAM搭載量增加。
智能手機(jī)市場(chǎng)恢復(fù)增長(zhǎng)
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海量數(shù)據(jù)信息助力服務(wù)器穩(wěn)健增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)流量快速增長(zhǎng)帶動(dòng)AI-IoT、云計(jì)算等領(lǐng)域高速成長(zhǎng)，新一代工作負(fù)載驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)升級(jí)，服務(wù)器千億市場(chǎng)開(kāi)始啟動(dòng)，有望成為DRAM高成長(zhǎng)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)2020年全球服務(wù)器出貨量達(dá)1190萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng)8%以上。
服務(wù)器市場(chǎng)增長(zhǎng)穩(wěn)健
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2、供給端看：Top3廠商資本開(kāi)支下降，進(jìn)一步改善供需關(guān)系
2019年DRAMCAPEX下滑28%，有助于抵消2018年的超支。IC預(yù)測(cè)DRAM產(chǎn)能和定價(jià)疲軟于2019年末見(jiàn)底。2020年日韓貿(mào)易不確定性上升，且韓國(guó)半導(dǎo)體材料端嚴(yán)重依賴日本市場(chǎng)出口，結(jié)合各自生產(chǎn)規(guī)劃，預(yù)計(jì)三大廠商2020年繼續(xù)維持謹(jǐn)慎資本開(kāi)支：
三星：靈活管理年度資本支出計(jì)劃，設(shè)備支出占比減少，基站支出占比增加；SK海力士：2019年資本開(kāi)支比2018年大幅下降，設(shè)備支出占比減少40%；美光：下調(diào)至90億美元，主要用于制程遷移和潔凈室，而非用于擴(kuò)產(chǎn)。DRAM需求和產(chǎn)能動(dòng)態(tài)變化存在時(shí)間落差問(wèn)題，造成供需失配。預(yù)計(jì)2020年DRAM將步入行業(yè)景氣周期，價(jià)格逐步趨穩(wěn)，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)非常適合國(guó)產(chǎn)替代切入市場(chǎng)。
全球DRAM市場(chǎng)在2020年有望迎來(lái)第三輪向上周期
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三、未來(lái)全球與中國(guó)大陸存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展對(duì)比分析
全球5G市場(chǎng)更新?lián)Q代將加大云端數(shù)據(jù)中心重啟服務(wù)器建制的資本開(kāi)支，加上國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器晶圓制造大廠陸續(xù)量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2019-2025年中國(guó)大陸存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)12%，并預(yù)計(jì)大陸存儲(chǔ)器生產(chǎn)銷售額將于2021年同比增長(zhǎng)高達(dá)121%，并且存儲(chǔ)器自給率將從2019年的1%快速提升至2023年的9%。TC
2019-2025年全球與中國(guó)大陸存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)比較
單位：十億美元 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng) | 111 | 124 | 156 | 180 | 180 | 216 | 214 |
同比 | -33% | 12% | 26% | 15% | 0% | 20% | -1% |
中國(guó)大陸存儲(chǔ)芯片市場(chǎng) | 61 | 65 | 84 | 97 | 99 | 120 | 120 |
中國(guó)大陸占全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額 | 55% | 53% | 53% | 54% | 55% | 56% | 56% |
中國(guó)大陸存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)銷售額 | 1.3 | 2.4 | 5.5 | 10.4 | 15.6 | 21.1 | 27 |
同比 | 38% | 91% | 126% | 89% | 50% | 35% | 28% |
中國(guó)大陸存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)自給率 | 2% | 4% | 7% | 11% | 16% | 18% | 22% |
中國(guó)大陸存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)占全球份額 | 1% | 2% | 4% | 6% | 9% | 10% | 13% |
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智研咨詢 - 精品報(bào)告
2025-2031年中國(guó)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）行業(yè)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報(bào)告
《2025-2031年中國(guó)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）行業(yè)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報(bào)告》共八章，包含中國(guó)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及全產(chǎn)業(yè)鏈布局狀況研究，中國(guó)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)布局案例研究，中國(guó)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)及投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略建議等內(nèi)容。
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