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半導(dǎo)體行業(yè)快報:HBM加速迭代疊加美國限制出口 國產(chǎn)自主可控重要性日益凸顯

投資要點


根據(jù)《韓國經(jīng)濟新聞》12 月4 日報道,SK 海力士將于25H2 采用臺積電3nm 生產(chǎn)HBM4。


SK 海力士改采臺積電3nm 生產(chǎn)HBM4,HBM4E 將引入混合鍵合技術(shù)根據(jù)《韓國經(jīng)濟新聞》12 月4 日報道,SK 海力士將于25H2 以臺積電3nm 制程為客戶生產(chǎn)定制化的第六代高頻寬內(nèi)存HBM4;最快將于2025 年3 月發(fā)布一款采用臺積電3nm 制程生產(chǎn)的基礎(chǔ)裸片的垂直堆疊HBM4 原型,主要出貨的客戶為英偉達。三星同樣預(yù)計在25H2 提供HBM4 樣品,批量生產(chǎn)計劃在26 財年。


產(chǎn)能方面,根據(jù)CFM 數(shù)據(jù),至2024 年底三星、SK 海力士和美光合計HBM 月產(chǎn)能將達30 萬片,其中三星HBM 增產(chǎn)最為激進;預(yù)計2025 年全球HBM 市場規(guī)模將上看300 億美元,HBM 將占DRAM 晶圓產(chǎn)能約15%至20%。


HBM3E 及之前的HBM 都是采用DRAM 制程的基礎(chǔ)裸片,而HBM4 基礎(chǔ)裸片將采用臺積電3nm 的先進邏輯工藝,以推動性能和能效進一步提升。此外,隨著HBM 堆疊層數(shù)逐漸增加,存儲廠商正積極推動在HBM4 中引入無助焊劑鍵合技術(shù),以進一步縮小DRAM 堆疊間距;其中,美光動作最為積極,已開始與合作伙伴測試新制程,SK 海力士正在評估無助焊劑鍵合技術(shù),三星電子也正在密切關(guān)注相關(guān)技術(shù)。根據(jù)SK 海力士HBM 封裝路線圖,其將在計劃于2026 年量產(chǎn)的HBM4E 中采用混合鍵合技術(shù)。混合鍵合技術(shù)可最大限度地縮小DRAM 的間隙,且沒有微凸塊電阻,因此信號傳輸速度更快,熱量管理更為高效。


為應(yīng)對AI 浪潮帶來的強勁需求,英偉達已與臺積電等供應(yīng)鏈合作伙伴提前啟動了下一代Rubin 平臺的研發(fā)工作,原定于2026 年亮相的Rubin 芯片有望提前半年發(fā)布,即2025 年下半年面世。臺積電計劃擴大CoWoS 先進封裝產(chǎn)能,以滿足Rubin 芯片的預(yù)期需求;目標(biāo)在25Q4 將CoWoS 月產(chǎn)能提升至8 萬片。英偉達Rubin GPU 將配備8 個HBM4 芯片,其增強版Rubin Ultra GPU 將集成12 顆HBM4 芯片,預(yù)計于2027 年推出。


我們認為,AI 強勁需求正推動HBM 市場高速增長,同時HBM 持續(xù)升級迭代也不斷帶來新技術(shù)、新工藝的投資機會。


美國新增對HBM 的出口管制,HBM 國產(chǎn)自主可控重要性日益凸顯2024 年12 月2 日,美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)修訂了《出口管理條例》(EAR),新的出口限制包括限制向中國出口先進HBM,并對24 種半導(dǎo)體制造設(shè)備和3 種軟件工具進行出口管制,包括美國公司在外國工廠生產(chǎn)的設(shè)備。


140 家中國實體被增列至出口管制實體清單,中芯國際、武漢新芯、北方華創(chuàng)、拓荊科技、盛美均在該清單上。


根據(jù)新的3A090.c,IFR 將管制“Memory bandwidth density”大于2GB/s/mm2  的HBM。當(dāng)前生產(chǎn)的所有HBM 都超過了此閾值,即對于目前幾乎所有現(xiàn)行生產(chǎn)的HBM,均不能出口到中國。TrendForce 表示,國內(nèi)存儲廠商武漢新芯和長鑫存儲正處于HBM 制造的早期階段,其中武漢新芯正在針對HBM 建造月產(chǎn)能3000 片晶圓的12 英寸工廠,長鑫存儲則與封測廠通富微電合作開發(fā)了HBM 樣品,并向潛在的客戶展示。


我們認為,美國進一步升級對華出口管制凸顯HBM 全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)自主可控的重要性,產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的國產(chǎn)廠商迎來前所未有的發(fā)展良機。


投資建議


建議關(guān)注HBM 產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)標(biāo)的:1)封測環(huán)節(jié):通富微電(先進封裝)、長電科技(先進封裝)等;2)設(shè)備環(huán)節(jié):拓荊科技(PECVD+ALD+鍵合設(shè)備)、華海清科(減薄+CMP)、芯源微(臨時鍵合與解鍵合)、華卓精科(擬上市,鍵合設(shè)備)等;3)材料環(huán)節(jié):華海誠科(環(huán)氧塑封料)、天承科技(RDL+TSV電鍍添加劑)、艾森股份(先進封裝電鍍)、聯(lián)瑞新材(硅微粉)等。


風(fēng)險提示:行業(yè)與市場波動風(fēng)險,國際貿(mào)易摩擦風(fēng)險,新技術(shù)、新工藝、新產(chǎn)品無法如期產(chǎn)業(yè)化風(fēng)險,產(chǎn)能擴張進度不及預(yù)期風(fēng)險,行業(yè)競爭加劇風(fēng)險。


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轉(zhuǎn)自華金證券股份有限公司 研究員:孫遠峰/王海維

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2025-2031年中國半導(dǎo)體先進封裝行業(yè)市場全景評估及投資前景研判報告
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《2025-2031年中國半導(dǎo)體先進封裝行業(yè)市場全景評估及投資前景研判報告》共九章,包含全球及中國半導(dǎo)體先進封裝企業(yè)案例解析,中國半導(dǎo)體先進封裝行業(yè)政策環(huán)境及發(fā)展?jié)摿?,中國半?dǎo)體先進封裝行業(yè)投資策略及規(guī)劃建議等內(nèi)容。

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