2018年中國半導(dǎo)體行業(yè)國產(chǎn)化發(fā)展現(xiàn)狀分析【圖】

    中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)， 2017 年 1-9 月中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為 3646.1 億元，同比增長 22.4%。其中，設(shè)計(jì)業(yè)同比增長 25%，銷售額為 1468.4 億元；制造業(yè)在存儲器需求旺盛和國內(nèi) 8 英寸線滿產(chǎn)的拉動下，保持高速增長， 1-9月同比增長 27.1%，銷售額為 899.1 億元；封裝測試業(yè)銷售額 1278.6 億元，同比增長 16.5%。從產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)來看，國內(nèi)集成電路制造、設(shè)計(jì)、封測、裝備、材料環(huán)節(jié)迎來黃金發(fā)展階段，基于技術(shù)門檻考慮，國產(chǎn)化進(jìn)程勢必沿著封測-制造-材料路線傳導(dǎo)。 1）預(yù)計(jì) IC 設(shè)計(jì) 2018 年將維持約 20%的增長； 2）中國存儲器長江存儲、合肥睿力、晉華集成 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，國產(chǎn)替代可期； 3）半導(dǎo)體材料被美日韓等少數(shù)國際少數(shù)公司壟斷，國內(nèi)半導(dǎo)體材料部分材料已快速實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代，如靶材標(biāo)的江豐電子已經(jīng)成功打破美國、日本跨國公司的壟斷格局，填補(bǔ)了國內(nèi)電子材料行業(yè)的空白；占比最大的大硅片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)替代 0 到 1 的過程，國產(chǎn)化替代逐步提上日程。4）全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出占總體資本支出的比例平均約為三分之二，隨著半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)技術(shù)增加以及生產(chǎn)建設(shè)加速，半導(dǎo)體設(shè)備迎來發(fā)展的黃金階段。 2017 年晶圓廠設(shè)備投資相關(guān)支出達(dá)到 570 億美元的歷史新高，較前一年增加 41％，2018 年支出可望增加 11％，達(dá) 630 億美元。 5）國內(nèi)封測彎道超車，目前中國（不含臺灣?。┘呻娐贩庋b已經(jīng)形成了三大領(lǐng)軍公司，分別是長電科技、華天科技、通富微電，都位居全球前十大封測公司之列。

    2017 年中國 IC 設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值預(yù)估達(dá)人民幣 2006 億元，年增率為 22%，預(yù)估 2018年產(chǎn)值有望突破人民幣 2400 億元，維持約 20%的年增速。 目前國家大基金二期資金也正在募集當(dāng)中，大基金二期投資項(xiàng)目在 IC 設(shè)計(jì)領(lǐng)域的投資比重有望增加至 20%-25%。

2016-2018 年中國 IC 設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)概況

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    從 2007 年與 2017 年中國十大集成電路設(shè)計(jì)公司銷售額對比可以看出，國內(nèi)企業(yè)市場化逐步由低端轉(zhuǎn)向高端，政府采購也趨于市場化，銷售額實(shí)現(xiàn)快速增長，以海思為例，在 2007 年銷售額為 12.9 億元， 2017 年達(dá)到 390 億元，同比增長約 29 倍。觀察 2017 年中國 IC 設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，廠商技術(shù)發(fā)展僅限于低端產(chǎn)品的狀況已逐步改善，海思的高端手機(jī)應(yīng)用處理芯片已率先采用 10nm 先進(jìn)制程，海思、中興微的 NB-IoT、寒武紀(jì)、地平線的 AI 布局也已在國際嶄露頭角，展銳、大唐、海思的 5G 部署也順利進(jìn)行中。2017 年比特大陸芯片銷售額達(dá)到 143 億元人民幣，僅次于華為海思，成為中國第二大的 IC 設(shè)計(jì)公司，主要受益于比特幣持續(xù)暴漲。比特大陸成立于 2013 年，由吳忌寒和芯片設(shè)計(jì)專家詹克團(tuán)（Micree Zhan）聯(lián)合創(chuàng)辦，是一家生產(chǎn)比特幣挖礦機(jī)、定制芯片、運(yùn)營“礦池”（比特幣礦工工廠）的初創(chuàng)公司。

    中國存儲器長江存儲、合肥睿力、晉華集成 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，其中 NAND Flash 發(fā)展上最有望突圍的為長江存儲，將在 2017 完成 32 層 3D NAND 研發(fā)布，有望在 2018 年量產(chǎn)之時(shí)，完成 64 層設(shè)計(jì)； DRAM 發(fā)展最快的則為合肥睿力，去年完成廠房封頂并且移入測試機(jī)臺移， 2018 年年初可以進(jìn)入試產(chǎn)階段。長江存儲：國家存儲器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，項(xiàng)目一期規(guī)劃投資 240 億美元，占地面積 1968 畝，于 2016 年 12 月 30 日正式開工建設(shè)，將建設(shè) 3 座全球單座潔凈面積最大的 3D NAND Flash 生產(chǎn)廠房，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過 3 萬美元。其中，（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房在 2017 年 9 月份實(shí)現(xiàn)提前封，預(yù)計(jì)將于 2018 年投入使用。項(xiàng)目（一期）達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達(dá)到 30 萬片/月，年產(chǎn)值將超過 100 億美元。合肥睿力： 2017 年初合肥睿力宣布以 72 億美元興建 12 吋晶圓廠，預(yù)計(jì)最大單月產(chǎn)能達(dá) 12.5 萬片規(guī)模，計(jì)劃 2017年廠房建成， 2018 年上半年完成設(shè)備安裝和調(diào)試，預(yù)計(jì)下半年產(chǎn)品研發(fā)成功。晉華集成： 2017 年 2 月份正式落地晉江，該項(xiàng)目規(guī)劃面積 594 畝，一期總投資 370 億元，主要建設(shè) 12 英寸內(nèi)存晶圓生產(chǎn)線，產(chǎn)能規(guī)模為月產(chǎn) 6 萬片內(nèi)存晶圓；二期將新增 6 萬片內(nèi)存晶圓產(chǎn)能規(guī)模。在技術(shù)路徑上，將首先依托臺灣聯(lián)華電子集團(tuán)共同開展產(chǎn)品研發(fā)和制程設(shè)計(jì)，達(dá)到一期項(xiàng)目產(chǎn)品要求后，轉(zhuǎn)入自主建設(shè)研發(fā)體系、自主開發(fā)新世紀(jì)產(chǎn)品，持續(xù)跟進(jìn)全球內(nèi)存制造前沿技術(shù)。

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