中微公司：業(yè)績穩(wěn)定增長 半導體設備迎國產化機遇

    事件：公司發(fā)布2019 年度報告，實現(xiàn)營收19.47 億元（同比+18.77%）；歸母凈利1.89 億元（同比+107.51%），扣非歸母凈利1.48 億元（同比+41.48%）。

    投資要點：

    業(yè)績穩(wěn)定增長，2020 年以來中標加速迎國產化機遇1）2019 年在全球半導體設備及LED 設備不太景氣的背景下，公司仍實現(xiàn)近20%的收入增長，我們認為整體符合預期。分業(yè)務看，專用設備收入15.87 億元，同比+13.55%。備品備件收入3.38 億元，同比+49.23%，服務收入0.21 億元，同比+44.21%。

    2）公司凈利潤增長108%，顯著高于收入增長的19%，主要原因為2018年計入非經常性損益的股份支付費用達1.02 億元，本期無該類費用，且19 年研發(fā)費用加計扣除增加等因素導致本期所得稅費用減少。

    3）根據(jù)中國國際招標網(wǎng)，2020 年以來公司先后中標長江存儲9 臺刻蝕設備（累計市占率達17%），華力集成2 臺刻蝕設備（累計市占率達13%），華虹半導體3 臺設備（累計市占率達21%），下游晶圓廠的招投標加速將為公司帶來國產化機遇。

    毛利率維持平穩(wěn)，期間費用控制良好

    1）2019 年主營業(yè)務毛利率34.93%，同比-0.57pct，整體基本維持穩(wěn)定。

    2）2019 年凈利率9.71%，同比+4.15pct；若扣除非經常性損益影響，2019 年凈利率同比+1.2pct。期間費用率為27.7%，同比-1.4pct，整體費用控制良好，研發(fā)費用率達12%，同比+4.8pct。

    研發(fā)投入持續(xù)加大，新設備開發(fā)穩(wěn)步推進

    2019 年公司研發(fā)經費投入達4.25 億元，占營業(yè)收入比例的22%；研發(fā)人員數(shù)量為276 人，同比增長15%，占公司員工總人數(shù)的比例為38%。

    報告期內公司產品研發(fā)持續(xù)推進，獲得較多進展：

    1）邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)：公司刻蝕設備已運用在國際知名客戶65nm到7nm 的芯片生產線上；同時已開發(fā)出5nm 刻蝕設備用于若干關鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)領先客戶的批量訂單。

    2）3D NAND 芯片制造環(huán)節(jié)：公司CCP 刻蝕設備可應用于64 層的量產，同時正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128 層關鍵刻蝕應用以及相對應的極高深寬比的刻蝕設備和工藝。

    3）ICP 刻蝕設備：已經在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產線上量產，并在進行下一代產品的技術研發(fā)，以滿足7 納米以下的邏輯芯片、1X 納米的DRAM 芯片和128 層以上的3D NAND 芯片等產品的ICP 刻蝕需求，并進行高產出的ICP 刻蝕設備的研發(fā)。

    本土晶圓廠密集招標提供國產化機遇，下游工藝升級帶來更多設備空間1）2020 年以來長江存儲招標加速，自主研發(fā)的64 層3D NAND 目前產能規(guī)模約為2 萬片/月 ，預計至2020 年底前產能超過5 萬片/月，2021年完成10 萬片/月的目標；此外華力集成也在3 月份以來開啟了密集招標；中微均在其中占據(jù)較高份額。我們認為下游晶圓廠密集招標將為公司帶來國產化大機遇。

    2）隨著3D NAND 層數(shù)增加和集成電路線寬不斷縮小，制造環(huán)節(jié)要求重復多次薄膜沉積和刻蝕工序步驟，意味著單條產線所需刻蝕設備增加，催生更多的刻蝕設備需求。同時由于邏輯器件和存儲器件的結構變化，市場對ICP 刻蝕工藝的需求迅速增長。公司已覆蓋3D NAND 中2/3的介質刻蝕工藝，目前公司ICP 設備已經量產，有望進一步提升刻蝕工藝覆蓋廣度，提高刻蝕業(yè)務競爭力。